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工作频率范围为 0.05 至 10 GHz,将高增益与极低噪声系数相结合,可降低整体系统噪声。低噪声系数和 IP3 性能使其成为通信系统中敏感接收器的理想选择。采用高度可重复的 E-PHEMT 技术制造,采用 2x2mm MCLP 封装,需要外部偏置和匹配。

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2N4393是一款低噪声、快速开关的N通道结型场效应管(JFET),适用于开关、斩波器和换向器设计。栅极泄漏电流通常小于50pA,在室温下。2N4393具有低截止电压,适用于低电平电源。

是超低噪声、高 IP3 晶体管器件,采用 E-PHEMT 技术,可在单正电源电压下工作。在 2.5 GHz 以下具有出色的噪声系数,将此噪声系数与高 IP3 性能结合在单个器件中,使其成为要求苛刻的基站应用的理想放大器。

MMIC D-PHEMT晶体管,工作频率范围为1.0至4000 MHz。该型号结合了高增益和极低的噪声系数,可降低整体系统噪声。低噪声系数和三阶交调截点(IP3)性能使其成为通信系统中敏感接收器的理想选择。采用高度可重复的D-PHEMT技术制造,采用1.4x1.2mm MCLP封装。该型号需要外部偏置和匹配。

2SK932 是一款 N 沟道 JFET,15V,5 至 24mA,50mS,CP,适用于高频低噪音放大器应用。

IF1320是一款低噪声、高增益的N沟道JFET,适用于中频敏感放大器设计。具有低截止电压,适合低电平电源供应。

UTC TF2123使用先进的沟槽技术,提供出色的Rds(on),低栅极电荷和低栅极电压下的运行。该器件适用于电容器麦克风应用。

MCH3914 是一款 N 沟道 JFET,15V,16 至 50mA,29mS,MCPH3,适用于高频低噪音放大器应用。

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双通道N-Channel JFET,适用于紧凑和高效设计,具有高增益性能。AEC-Q101认证,适合汽车应用。

特性:带有S前缀,适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 AEC-Q101认证且具备生产件批准程序(PPAP)能力。 无铅、无卤素/无溴化阻燃剂(BFR),符合RoHS标准

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此 P 沟道 JFET 器件适用于模拟开关和斩波器应用。

CPH6904 是一款 N 沟道 JFET,25V,20 至 40mA,40mS,双 CPH6,适用于高频低噪音放大器应用。

此 N 沟道 JFET 器件适用于高频放大器和振荡器。

NSVJ6904DSB6 是一款复合类型的 JFET,适用于紧凑尺寸和高效能的应用,可实现高增益性能。此器件通过 AEC-Q101 认证,符合生产件批准程序 (PPAP),适用于汽车应用。