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低噪声、低泄漏单个N沟道结型场效应管放大器。超低噪声en = 3nV/√Hz,低输入电容Ciss = 4pF。

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高输入阻抗,超低噪声,单N通道JFET。适用于音频放大器、前置放大器、检测器等。

超低噪声单片双N通道结型场效应管放大器,具有超低噪声、高击穿电压和宽输出摆幅等特性。适用于音频放大器、前置放大器、音频混音控制台、声学传感器等。

单通道JFET开关,低导通电阻,快速切换

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低噪声、低泄漏单个N沟道结型场效应管放大器。超低噪声en = 3nV/√Hz,低输入电容Ciss = 4pF。

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IF140和IF140A是针对低噪声高增益放大器设计的N-Channel JFET。它们适用于中高频设计,具有低噪声(4 nV/√Hz)和高增益(4.5 mS)。

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低噪声低漂移单片双N沟道JFET放大器。特性包括低漂移、低噪声和低夹断电压。

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单通道P沟道结型场效应管开关,低导通电阻,低电容

低噪声、低电容单N沟道JFET。超低噪声(en = 1.8 nV/√Hz),低输入电容(Ciss = 4 pF)。

低噪声、低电容单N沟道JFET。超低噪声(en = 1.8 nV/√Hz),低输入电容(Ciss = 4 pF)。

低噪声低漂移单片双N沟道JFET放大器。特性包括低漂移、低噪声和低夹断电压。

单通道P沟道结型场效应管开关,低导通电阻,低电容

单通道P沟道JFET开关,具有低导通电阻和低栅极工作电流。

单通道P沟道JFET开关,具有低导通电阻和低栅极工作电流。