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高输入阻抗,输入阻抗 rGs = 100GΩ,高跨导 YFs = 30,000μS,最大功耗 200mW,最大漏源电压 20V,最大栅源电压 20V

LSK589是一款低噪声、低输入电容的单片双N-Channel JFET。具有超低噪声和高跨导特性。

低噪声、低漂移的单片双N沟道JFET放大器,具有低偏置电压和高稳定性。

超低噪声单片双N沟道JFET放大器,具有100%测试保证的最低噪声性能。适用于音频放大器、前置放大器、音频混音控制台、声学传感器等。

低噪声、低输入电容、单片双N沟道JFET放大器。具有低输入电容,可显著减少互调失真,适用于精密仪器和传感器应用。

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低噪声低漂移单片双N沟道JFET放大器。特性包括低漂移、低噪声和低夹断电压。

低噪声、低输入电容、单片双N沟道JFET放大器。具有低输入电容,可显著减少互调失真,适用于精密仪器和传感器应用。

通用单通道P沟道结型场效应管,具有高增益、高输入阻抗和低电容特性。

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低噪声、低输入电容、单片双N沟道JFET放大器。超低噪声,低泄漏,低漂移,超低偏置电压。

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低噪声、低漂移、低电容、双通道N-通道JFET放大器

低噪声、低输入电容、单片双N沟道JFET放大器。超低噪声,低泄漏,低漂移,超低偏置电压。

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