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SiC653和SiC653A是为同步降压应用优化的集成功率级解决方案,可提供大电流、高效率和高功率密度性能。SiC653和SiC653A采用5mm x 5mm MLP封装,使电压调节器设计能够每相提供高达50A的连续电流。内部功率MOSFET采用了先进的第四代TrenchFET技术,该技术达到了行业标杆性能,可显著降低开关损耗和传导损耗

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该器件是用于汽车动力系统的四通道低侧开关,具有四个开漏DMOS输出级。它通过嵌入式保护功能进行保护,并设计用于汽车动力系统应用。

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SiC620 和 SiC620A 是针对同步降压应用优化的集成电源级解决方案,可提供高电流、高效率和高功率密度性能。采用Vishay专有的5 mm x 5 mm MLP封装,SiC620 和 SiC620A 使电压调节器设计能够每相提供高达60 A的连续电流。内部功率MOSFET采用了Vishay最先进的第四代沟槽技术,该技术提供了行业基准性能,显著降低了开关损耗和导通损耗。SiC620 和 SiC620A 集成了先进的MOSFET栅极驱动IC,具有高电流驱动能力、自适应死区时间控制、集成的自举肖特基二极管、热警告(THWn)以警示系统过高的结温以及零电流检测以提高轻负载效率。这些驱动器还兼容广泛的PWM控制器,并支持三态PWM、3.3 V(SiC620A)/ 5 V(SiC620)PWM逻辑。