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二极管 / 晶体管型号

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NSMD10B60C1为碳化硅材质三相全桥IPM,600V/10A规格,内置6个SiC MOS管,Typ.Rds,on仅0.417Ω@25°C,低导通损耗,集成高压栅驱+多重保护,适配家电各类风机、压缩机驱动。

NCE(无锡新洁能)SOP-23
二极管 / 晶体管智能功率模块(IPM)
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MPS(芯源)LGA-41(5x6)
二极管 / 晶体管智能功率模块(IPM)
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CSD95495QVM 采用 4x5 SON 小型封装的 50A 同步降压 NexFET 智能功率级

TI(德州仪器)VSON-18-EP(4x5)
二极管 / 晶体管智能功率模块(IPM)
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Infineon(英飞凌)PQFN-36L(12x12)
二极管 / 晶体管智能功率模块(IPM)
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SLLIMM-nano小型低损耗智能模块IPM,3 A、600 V 3相IGBT逆变器桥

ST(意法半导体)DIP-26
二极管 / 晶体管智能功率模块(IPM)
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SLLIMM 第二系列 IPM、三相逆变器、15 A、600 V 短路加固型 IGBT

ST(意法半导体)SDIP-26L-2F
二极管 / 晶体管智能功率模块(IPM)
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SDM30G60FC是高度集成、高可靠性的三相无刷直流电机驱动电路,主要应用于较低功率的变频驱动,如工业伺服器、空调、低功率变频器等。其内置了3相全桥高压栅极驱动电路和6个低损耗IGBT管。SDM30G60FC内部集成了欠压、短路等各种保护功能,提供了优异的保护和宽泛的安全工作范围。由于每一相都有一个独立的负直流端,其电流可以分别单独检测。SDM30G60FC采用了高绝缘和易导热设计,提供了非常紧凑的封装体,使用非常方便,尤其适合要求紧凑安装的场合。

SILAN(士兰微)DIP-24HL
二极管 / 晶体管智能功率模块(IPM)
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NFAL3065L4BT 是一款 Motion SPM 模块,为交流直感、BLDC 和 PMSM 电机提供全功能、高性能的逆变器输出级。此类模块集成了内置 IGBT 的优化门极驱动,可最大程度减少 EMI 和损耗,同时还提供多个模块上保护功能,包括欠压锁定、过电流关断、驱动集成电路的高温监控和故障报告。内置的高速 HVIC 仅需一个电源电压,即可将传入的逻辑电平门极输入转换为正确驱动模块内部 IGBT 所需的高电压、高电流驱动信号。每个相位都有单独的负 IGBT 端子,可支持最广泛的控制算法。

onsemi(安森美)DIP-39(31.0x54.5)
二极管 / 晶体管智能功率模块(IPM)
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LKSM5003NBI 内部集成高压预驱以及一颗高性能MOSFET。LKSM5003NB 内部集成一颗Bootstrap 二极管以及一颗高性能MOSFET。LKSM5003NBI 和LKSM5003NB 搭配使用,构成是一款半桥功率模块,适用于直流无刷BLDC 电机和永磁同步PMSM 电机。LKSM5003NB 的MOSFET 的源极可以用于电流采样。输入端包含史密斯触发器并且逻辑电平兼容3.3V/5V/15V。LKSM5003NBI 采用HSOP7 封装。LKSM5003NB 采用ESSOP6 封装。

LINKOSEMI(凌鸥创芯)ESSOP-6
二极管 / 晶体管智能功率模块(IPM)
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NSH405PQ是一款4A/500V半桥IPM,集成栅驱与自举,带保护/温度检测,5×6mm封装,适配BLDC电机控制。

NCE(无锡新洁能)PQFN-26(5x6)
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WXNSIC(国硅集成)ESOP-13
二极管 / 晶体管智能功率模块(IPM)
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SILAN(士兰微)SOP-23H
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CRMICRO(华润微)HDIP-24
二极管 / 晶体管智能功率模块(IPM)
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特性:高达90A的瞬时峰值电流处理能力。高性能、通用封装、铜夹5mm x 6mm PQFN封装。使用安森美半导体的PowerTrench MOSFET,实现干净的电压波形并减少振铃。30V / 25V击穿电压MOSFET,提高长期可靠性。针对高达1MHz的开关频率进行优化。优化的FET对,在10% ~ 15%占空比下实现最高效率。应用:CPU和内存电压调节器。高电流多相电压调节器

onsemi(安森美)PQFN-39
二极管 / 晶体管智能功率模块(IPM)
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·下臂IGBT发射极输出,内置自举二极管。 ·600V/15A三相逆变器,内置低损耗沟道栅-场截止型IGBT。 ·IGBT 驱动:增强型输入滤波,高速600V电平转换,电源欠压保护,短路(过流)保护,过温保护和温度输出。 ·故障信号:对应于短路(过流)、过温和低侧电源欠压故障。 ·输入接口:兼容 3.3V &5V 输入信号,高电平有效。

SPEIPM(吉林华微斯帕克)DIP-25-DBC
二极管 / 晶体管智能功率模块(IPM)
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SLLIMM 第二系列 IPM、三相逆变器、20 A、600 V 短路加固型 IGBT

ST(意法半导体)SDIP2B-26L
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ROHM(罗姆)PowerDIP-25-28.8mm
二极管 / 晶体管智能功率模块(IPM)
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WXNSIC(国硅集成)ESOP-13
二极管 / 晶体管智能功率模块(IPM)
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MP86950 是一款单片半桥芯片,内置功率 MOSFET 和栅极驱动器。MP86950 在 4.5V 至 16V 的宽输入电源范围内可实现 50A 的连续输出电流。MP86950 是一款单片集成电路,每相可驱动高达 50A 的电流。集成的 MOSFET 和驱动器通过优化死区时间和降低寄生电感实现了高效率。MP86950 的工作频率范围为 100kHz 至 2MHz。MP86950 具备诸多特性,可简化系统设计。MP86950 与三态脉冲宽度调制(PWM)信号控制器兼容,拥有 Accu - SenseTM 电流检测功能以监测电感电流,还具备温度检测功能以报告结温。MP86950 非常适合对高效率和小尺寸要求严苛的服务器应用。MP86950 采用小型 TLGA - 27(4mmx5mm)封装。

MPS(芯源)TLGA-27(4x5)
二极管 / 晶体管智能功率模块(IPM)
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XSTM DrMOS家族是下一代、完全优化、超紧凑、集成MOSFET加驱动器功率级解决方案,适用于高电流、高频、同步降压DC-DC应用。FDMF6706C将驱动器IC、两个功率MOSFET和一个自举肖特基二极管集成到一个热增强、超紧凑的6x6 mm PQFN封装中。采用集成方法,完整的开关功率级在驱动器和MOSFET动态性能、系统电感和功率MOSFET RDS(ON)方面得到优化。XSTM DrMOS采用高性能PowerTrench® MOSFET技术,可显著减少开关振铃,在大多数降压转换器应用中无需缓冲电路

onsemi(安森美)PQFN-40(6x6)
二极管 / 晶体管智能功率模块(IPM)
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