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SiC645 是一款智能 VR 电源器件,集成了高端和低端 MOSFET、高性能驱动器以及集成自举 FET。SiC645 提供高精度的电流和温度监测功能,可将数据反馈给控制器和倍增器,以构成多相 DC/DC 系统。通过省去 DCR 感测网络及相关热补偿,该器件简化了设计并提升了性能

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SLLIMM-nano小型低损耗智能模块IPM,3 A、600 V 3相IGBT逆变器桥

SLLIMM-nano第2系列IPM,3相逆变器,5 A、1.0 Ohm最大值、600 V N沟道MDmesh DM2

SLLIMM第2系列IPM,3相逆变器,8 A、600 V短路保护IGBT

STK544UC63K - E是一款完全集成的逆变器功率级,由一个高压驱动器、六个IGBT和一个热敏电阻组成,适用于驱动永磁同步(PMSM)电机、无刷直流(BLDC)电机和交流异步电机。这些IGBT以三相桥形式配置,下桥臂采用独立发射极连接,以便在选择控制算法时实现最大灵活性。该功率级具备一系列完整的保护功能,包括交叉导通保护、外部关断和欠压锁定功能

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CSD95378BQ5M 带 TAO 偏移的 60A 同步降压 NexFET™ 智能功率级

FSBB20CH120DF是一款先进的Motion SPM® 3模块,可为交流感应电机、无刷直流电机(BLDC)和永磁同步电机(PMSM)提供功能齐全、高性能的逆变器输出级。这些模块对内置绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的栅极驱动进行了优化,以最大程度地减少电磁干扰(EMI)和损耗,同时还具备多种模块级保护功能,包括欠压锁定、过流关断、驱动集成电路(IC)的温度监测以及故障报告。内置的高速高压集成电路(HVIC)仅需单电源电压,并将输入的逻辑电平栅极信号转换为驱动模块内部IGBT所需的高压、大电流驱动信号

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内置高性能500V/4A MOSFET 内置自举二极管 对于负的瞬态电压具有高鲁棒性 门极驱动电压范围支持10V~20V 输入逻辑电平兼容3.3V, 5V 以及 15V 高侧和低侧均支持UVLO 内置死区避免上下管直通 应用于高速风筒、风扇、电动工具等

内置高性能500V/5A MOSFET 内置自举二极管 对于负的瞬态电压具有高鲁棒性 门极驱动电压范围支持10V~20V 输入逻辑电平兼容3.3V, 5V 以及 15V 高侧和低侧均支持UVLO 内置死区避免上下管直通 内置温度采样 应用于高速风筒、风扇、电动工具等

600V 5A IPM模块

特性:低侧IGBT为独立发射极类型。 短路保护。 温度传感器输出功能。 过热保护。 欠压保护。 故障信号输出功能。应用:AC 100~240V三相逆变器驱动,用于小功率交流电机驱动(如空调压缩机电机驱动、热泵应用压缩机电机驱动、风扇电机驱动、通风机电机驱动)

·下臂IGBT发射极输出,内置自举二极管。 ·600V/15A三相逆变器,内置低损耗沟道栅-场截止型IGBT。 ·IGBT 驱动:高速600V电平转换,电源欠压保护,短路(过流)保护,过温保护和温度输出。 ·故障信号:对应于短路(过流)、过温和低侧电源欠压故障。 ·输入接口:兼容3.3V&5V输入信号,高电平有效。

SLLIMM nano第2系列IPM,3 A、600 V 3相IGBT逆变器桥

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SD15M60AC是一款高度集成、高可靠性的三相无刷直流电机驱动器,适用于空调、洗碗机和工业缝纫机等低功率逆变器驱动。它内置了六个低损耗IGBT和三个高压高速半桥栅极驱动器。集成的欠压、短路和过温保护功能使电路能在较宽范围内安全工作

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FSB50450BS 是一款先进的 Motion SPM 5 模块,为交流直感、BLDC 和 PMSM 电机提供全功能、高性能的逆变器输出级。这些模块集成了内置 MOSFET(FRFET 技术)的优化门极驱动,可最大程度减少 EMI 和损耗,同时还提供多个模块上保护功能,包括欠压锁定和温度监控。内置的高速 HVIC 仅需一个电源电压,会将传入的逻辑电平门极输入转换为正确驱动模块内部 MOSFET 所需的高电压、高电流驱动信号。对于每个相位提供单独的开源 MOSFET 端子,可支持最广泛的控制算法。