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SLLIMM第2系列IPM,3相逆变器,12 A、600 V短路保护IGBT

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高效的高侧开关,带扩展诊断和智能驱动(用于电容性负载)

SLLIMM第2系列IPM,3相逆变器,15 A、600 V短路保护IGBT

SLLIMM-nano小型低损耗智能模块IPM,3 A、600 V 3相IGBT逆变器桥

SLLIMM nano第2系列IPM,3 A、600 V 3相IGBT逆变器桥

SLLIMM小型低损耗智能成型模块IPM,3相逆变器,18 A、600 V短路保护IGBT

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SLLIMM第2系列IPM,3相逆变器,35 A、600 V短路保护IGBT

SLLIMM第2系列IPM,3相逆变器,0.18 Ohm典型值、10 A、600 V功率MOSFET

SLLIMM小型低损耗智能成型模块IPM,3相逆变器,10 A、600 V短路保护IGBT

SLLIMM第2系列IPM,3相逆变器,25 A、600 V短路保护IGBT

是一款高效同步降压功率级模块,由两个不对称MOSFET和一个集成驱动器组成。MOSFET针对同步降压配置进行了单独优化。高端MOSFET经过优化,可实现低电容和栅极电荷,以实现低占空比操作下的快速开关。低端MOSFET具有超低导通电阻,可将传导损耗降至最低。使用PWM输入来精确控制功率MOSFET的开关活动,与3V和5V(CMOS)逻辑兼容,并支持三态PWM。提供了许多特性,使其成为一款高度通用的电源模块。自举开关集成在驱动器中。低端MOSFET可以驱动进入二极管仿真模式,以提供异步操作并改善轻载性能。引脚布局也针对低寄生效应进行了优化,将其影响降至最低。

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FSB50450BS 是一款 Motion SPM 5 模块,为交流直感、BLDC 和 PMSM 电机提供全功能、高性能的逆变器输出级。这些模块集成了内置 MOSFET(FRFET 技术)的优化门极驱动,可最大程度减少 EMI 和损耗,同时还提供多个模块上保护功能,包括欠压锁定和温度监控。内置的高速 HVIC 仅需一个电源电压,会将传入的逻辑电平门极输入转换为正确驱动模块内部 MOSFET 所需的高电压、高电流驱动信号。对于每个相位提供单独的开源 MOSFET 端子,可支持最广泛的控制算法。

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