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二极管 / 晶体管型号

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高度集成、高可靠性的三相无刷直流电机驱动电路,主要应用于较低功率电机驱动,如风扇电机。其内置了 6 个快恢复 MOSFET 和 3 个半桥 HVIC 栅极驱动电路。内部集成了欠压保护电路,提供了优异的保护和故障安全操作。由于每一相都有一个独立的负直流端,其电流可以分别单独检测。提供一个温度感测输出端口,另外内部集成了自举二极管,简化了外围线路。

CRMICRO(华润微)SOP-23H
二极管 / 晶体管智能功率模块(IPM)
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Infineon(英飞凌)PQFN-31(8x9)
二极管 / 晶体管智能功率模块(IPM)
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FSFR-HS 是高度集成的电源开关,专为高效率半桥谐振转换器而设计。它提供了构建可靠、强健的谐振转换器所需的一切,FSFR-HS不仅简化了设计,同时提高了生产力和性能。FSFR-HS将功率MOSFET与高侧栅极驱动电路、精确的电流控制振荡器以及内置保护功能完美地整合在了一起。

onsemi(安森美)SIP-9
二极管 / 晶体管智能功率模块(IPM)
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onsemi(安森美)SPM-5H-023
二极管 / 晶体管智能功率模块(IPM)
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onsemi(安森美)SPM-5P-023
二极管 / 晶体管智能功率模块(IPM)
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FSB50250AS 是一款先进的 Motion SPM 5 系列,基于快速恢复 MOSFET (FRFET) 技术,可用作风机和泵等小功率电机驱动应用的紧凑型逆变器方案。FSB50250AS 采用一个完全隔离的紧凑型封装,其中包含了六个 FRFET MOSFET、三个带温度感应的半桥门极驱动器 HVIC,以及三个自举二极管,可实现最佳热性能。FSB50250AS 优化了开关速度,降低了寄生电感,因此具有低电磁干扰 (EMI) 特性。因为 FSB50250AS 采用 MOSFET 作为电源开关,所以与基于 IGBT 的电源模块相比,坚固性更高,安全运行区域 (SOA) 也更大。FSB50250AS 是适用于组装空间有限的紧凑可靠的逆变器设计的方案。

onsemi(安森美)SPM-5Q-023
二极管 / 晶体管智能功率模块(IPM)
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FSB70450 是一款 Motion SPM 7 模块,为交流直感、BLDC 和 PMSM 电机提供全功能、高性能的逆变器输出级。这些模块集成了内置 MOSFET(FRFET 技术)的优化门极驱动,可最大程度减少 EMI 和损耗,同时还提供多个模块上保护功能,包括欠压锁定、温度监控、故障报告和互锁功能。内置的一个 HVIC 会将传入的逻辑电平门极输入转换为正确驱动模块内部 MOSFET 所需的高电压、高电流驱动信号。对于每个相位提供单独的开源 MOSFET 端子,可支持最广泛的控制算法。

onsemi(安森美)PQFN-27A
二极管 / 晶体管智能功率模块(IPM)
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onsemi(安森美)SPMFA-A25
二极管 / 晶体管智能功率模块(IPM)
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onsemi(安森美)SPM-5T-21
二极管 / 晶体管智能功率模块(IPM)
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iMOTION IMC100 是用于变速驱动器控制的高度集成 IC 系列。通过集成执行永磁同步电机 (PMSM) 控制所需的硬件和软件,它们以最低的系统和开发成本,为任何电机系统提供了最短的上市时间。集成的脚本引擎允许在不干扰电机和 PFC 控制算法的情况下增加应用灵活性

Infineon(英飞凌)QFN-48-EP(7x7)
二极管 / 晶体管智能功率模块(IPM)
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onsemi(安森美)SPM-5H-023
二极管 / 晶体管智能功率模块(IPM)
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onsemi(安森美)SPM26-AAA
二极管 / 晶体管智能功率模块(IPM)
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onsemi(安森美)PQFN-36(6x7.5)
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onsemi(安森美)SPM-5H-023
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Infineon(英飞凌)PQFN-36L(12x12)
二极管 / 晶体管智能功率模块(IPM)
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onsemi(安森美)-
二极管 / 晶体管智能功率模块(IPM)
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onsemi(安森美)SPM-5Q-023
二极管 / 晶体管智能功率模块(IPM)
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Infineon(英飞凌)插件
二极管 / 晶体管智能功率模块(IPM)
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onsemi(安森美)DIP-38
二极管 / 晶体管智能功率模块(IPM)
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onsemi(安森美)-
二极管 / 晶体管智能功率模块(IPM)
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