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FDMF6820B将驱动器IC、两个功率MOSFET和自举肖特基二极管集成到了一个热增强的、超小型6x6mm封装中。

FDMF6821B 在一个热管理增强的、超紧凑型 6x6 mm 封装内集成了一个驱动集成电路和一个自举肖特基二极管。通过集成方式,该完整开关功率级针对驱动器和 MOSFET 动态性能、系统电感和功率 MOSFET RDS(ON) 进行了优化。该 XS DrMOS 系列使用安森美半导体的高性能 PowerTrench MOSFET 技术,大幅降低了开关振铃,不再需要大多数降压转换器应用中的吸收电路。减少了死区时间和传播延迟的驱动集成电路进一步增强了性能。温度警告功能会针对潜在的超温情况发出警告。FDMF6821B 结合了跳过模式 (SMOD#),可提高轻负载下的能效。FDMF6821B 也提供 3 态 3.3 V PWM 输入,从而与多种 PWM 控制器兼容。

FDMF5821 采用热管理增强的、超紧凑型 5 mm x 5 mm 封装,其中集成了一个带自举肖特基二极管的驱动器集成电路、两个功率 MOSFET,以及一个温度监控器。该 SPS 开关功率级使用集成方式,针对驱动器和 MOSFET 动态性能、最小化系统电感和功率 MOSFET RDS(ON) 进行了优化。SPS 系列采用安森美半导体的高性能 PowerTrench MOSFET 技术,减少了开关振铃,不再需要大多数降压转换器应用中的吸收电路。减少了死区时间和传播延迟的驱动器集成电路进一步增强了性能。温度监控器功能会针对潜在的超温情况发出警告。如果发生超温情况,可编程设定的高温关断功能将关断该驱动器。FDMF5821 结合了自动 DCM 模式 (ZCD#),可提高轻负载下的能效。FDMF5821 还提供了一个 3 态 5 V PWM 输入,实现了与多种 PWM 控制器的兼容性。

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