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SLLIMM-nano小型低损耗智能成型模块IPM,3相逆变器,2 A、1.7 Ohm最大值、500 V MOSFET

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是一个完全集成的逆变器功率级,由高压驱动器、六个IGBT(FS4 RC IGBT技术)和一个热敏电阻组成,适用于驱动永磁同步电机(PMSM)、无刷直流(BLDC)电机和交流异步电机。IGBT以三相桥形式配置,下桥臂具有独立的发射极连接,可在控制算法选择上实现最大灵活性。功率级具有一系列保护功能,包括交叉传导保护、外部关断和欠压锁定功能。内部比较器和连接到过流保护电路的参考电压允许设计者设置过流保护级别。

半桥驱动

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XNM50250AT/ATS基于快恢复MOSFET技术,为小功率电机驱动应用(如风扇和水泵)提供紧凑型逆变解决方案。

FSB50550A 是一款先进的 Motion SPM 5 系列,基于快速恢复 MOSFET (FRFET) 技术,可用作风机和泵等小功率电机驱动应用的紧凑型逆变器方案。FSB50550A 包含六个 FRFET MOSFET、三个具有温度感应功能的半桥门极驱动器 HVIC,以及三个采用紧凑型封装、完全隔离并针对热性能进行优化的自举二极管。FSB50550A 优化了开关速度,降低了寄生电感,因此具有低电磁干扰 (EMI) 特性。由于 FSB50550A 采用 MOSFET 作为电源开关,所以与基于 IGBT 的电源模块相比,具有更强的坚固性和更大的安全运行区域 (SOA)。FSB50550A 方案适用于组装空间有限的紧凑可靠的逆变器设计。

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FDMF6820A 采用热管理增强的、超紧凑型 6x6mm 封装,集成了一个驱动集成电路和一个自举肖特基二极管。通过集成方式,该全开关功率级针对驱动器和 MOSFET 动态性能、系统电感和功率 MOSFET RDS(ON) 进行了优化。该 XS DrMOS 系列使用安森美半导体的高性能 PowerTrench MOSFET 技术,大幅降低了开关振铃,不再需要大多数降压转换器应用中的吸收电路。减少了死区时间和传播延迟的驱动集成电路进一步增强了性能。温度警告功能会针对潜在的超温情况发出警告。FDMF6820A 还结合了跳过模式 (SMOD#),可提高轻负载下的能效。FDMF6820A 还提供一个 3 态 3.3V PWM 输入,实现了与多种 PWM 控制器的兼容性。

FSB50650B/BS 是一款先进的 SPM 5 模块,为交流直感、BLDC 和 PMSM 电机提供全功能、高性能的逆变器输出级。这些模块集成了内置 MOSFET(FRFET 技术)的优化门极驱动,可最大程度减少 EMI 和损耗,同时还提供多个模块上保护功能,包括欠压锁定和温度监控。内置的高速 HVIC 仅需一个电源电压,会将传入的逻辑电平门极输入转换为正确驱动模块内部 MOSFET 所需的高电压、高电流驱动信号。