总电容电荷(Qc):99nC 总功率(Ptot):532W
SUPSiC(国晶微半导体)TO-247-2
二极管 / 晶体管碳化硅二极管
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VRRM(V):650,IF (A):2,Qc:3.7nC,SMA
XCH(旭昌辉)SMA
二极管 / 晶体管碳化硅二极管
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SiC Schottky; Vrrm=1200V, If=2A@Tc=168°C,Vf=1.35V@2A
AnBon(安邦)TO-252-2
二极管 / 晶体管碳化硅二极管
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总电容电荷(Qc):27nC 总功率(Ptot):81W
SUPSiC(国晶微半导体)TO-220-2
二极管 / 晶体管碳化硅二极管
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特性:零正向/反向恢复电流。 高阻断电压。 高频操作。 正向电压VF具有正温度系数。 温度无关的开关特性。应用:电机驱动。 太阳能
LGE(鲁光)TO-220AC
二极管 / 晶体管碳化硅二极管
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吹风筒,电机驱动
REASUNOS(瑞森半导体)PDFN-8(5x6)
二极管 / 晶体管碳化硅二极管
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总电容电荷(Qc):23nC 总功率(Ptot):73W
SUPSiC(国晶微半导体)TO-220-2
二极管 / 晶体管碳化硅二极管
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总电容电荷(Qc):77.5nC 总功率(Ptot):440W
SUPSiC(国晶微半导体)TO-247-2
二极管 / 晶体管碳化硅二极管
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碳化硅SiC
Tokmas(托克马斯)TO-252
二极管 / 晶体管碳化硅二极管
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全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 10A 1200V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD
JSMSEMI(杰盛微)TO-220-2
二极管 / 晶体管碳化硅二极管
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特性:正温度系数。 温度无关的开关特性。 最高工作温度为175°C。 单极器件,零反向恢复电流。 零正向恢复电流。 基本无开关损耗。应用:功率因数校正(PFC)。 太阳能逆变器
YANGJIE(扬杰)TO-252
二极管 / 晶体管碳化硅二极管
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总电容电荷(Qc):69nC 总功率(Ptot):115W
SUPSiC(国晶微半导体)TO-247-2
二极管 / 晶体管碳化硅二极管
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储能BMS,逆变器,电机控制,金牌电源,服务器电源,工业电源,无人机,PD快充,无线充,LED驱动电源,同步整流
REASUNOS(瑞森半导体)DFN-8(5x6)
二极管 / 晶体管碳化硅二极管
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VRRM(V):650,IF (A):4,Qc:10.6nC,SMB
XCH(旭昌辉)SMB
二极管 / 晶体管碳化硅二极管
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特性:1.2kV 肖特基整流器。 零反向恢复电流。 高频操作。 与温度无关的开关。 极快的开关速度。 正向电压(VF)具有正温度系数。应用:开关模式电源(SMPS)。 PFC 或 DC/DC 级中的升压二极管
Tokmas(托克马斯)TO-220-2
二极管 / 晶体管碳化硅二极管
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碳化硅SiC
Tokmas(托克马斯)TO-252
二极管 / 晶体管碳化硅二极管
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碳化硅SiC
Tokmas(托克马斯)TO-252
二极管 / 晶体管碳化硅二极管
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这款1200V碳化硅二极管,专为高电压环境设计,能承受5A持续电流,其正向压降低至1.4V,确保了在高压工作状态下的高效与稳定性。适用于需要高耐压与良好热管理的精密电子设备,是实现高效能电力转换系统的理想元件。
HXY MOSFET(华轩阳电子)TO-252-2L
二极管 / 晶体管碳化硅二极管
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独立式,25A/1200V,正向压降:1800mV@10A,适用于电源转换、高频整流及大电流电路保护场合。
Huixin(慧芯)TO-252
二极管 / 晶体管碳化硅二极管
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总电容电荷(Qc):52nC 总功率(Ptot):352W
SUPSiC(国晶微半导体)TO-247-2
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