海量元器件型号，
快速搜索匹配。

总电容电荷(Qc):25nC 总功率(Ptot):136W

特性:正温度系数。 与温度无关的开关特性。 最高工作温度为175°C。 单极器件,零反向恢复电流。 零正向恢复电流。 基本无开关损耗。应用:功率因数校正(PFC)。 太阳能逆变器

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 20A 1200V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

特性:正温度系数。 与温度无关的开关特性。 最高工作温度为175°C。 单极器件,零反向恢复电流。 本质上无开关损耗。 减少散热片需求。应用:功率因数校正(PFC)。 太阳能逆变器

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 10A 650V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 10A 650V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

碳化硅SiC

公开页面暂无产品说明。

特性:零正向/反向恢复电流。 高阻断电压。 高频工作。 VF具有正温度系数。 温度无关的开关特性。 高浪涌电流能力。应用:电机驱动器。 太阳能/风力逆变器

总电容电荷(Qc):37nC 总功率(Ptot):270W

公开页面暂无产品说明。

这款碳化硅二极管具有10A的正向电流(IF/A),能够承受高达1200V的反向电压(VR/V),适用于要求严苛的高电压和大电流场合。其正向电压降(VF/V)为1.4V,有助于降低导通损耗,提升整体效率。反向漏电流(IR/uA)为100微安,显示了良好的阻断能力。瞬态正向浪涌电流(IFSM/A)达到90A,表明该二极管可以应对短时间内的电流峰值,适用于高频开关和其他需要快速响应与高可靠性的电路设计。

总电容电荷(Qc):155nC 总功率(Ptot):440W

整流电流IF(AV): 2A@TC=150°C 反向电压VRRM: 650V 正向压降VF: 1.7V@2A 反向电流IR: 50uA 结温TJ:-55~+175°C

碳化硅SiC

特性:正温度系数。与温度无关的开关特性。最高工作温度为175°C。单极器件,零反向恢复电流。零正向恢复电压。基本无开关损耗。应用:功率因数校正(PFC)。太阳能逆变器

650V30A

整流电流IF(AV): 4A@TC=150°C 反向电压VRRM: 650V 正向压降VF: 1.6V@4A 反向电流IR: 25uA 结温TJ:-55~+175°C

整流电流IF(AV): 10A@TC=150°C 反向电压VRRM: 650V 正向压降VF: 1.6V@10A 反向电流IR: 60uA 结温TJ:-55~+175°C

此碳化硅二极管特为高效电源方案打造,耐压达650伏特,支持4安培持续电流,加之仅1.3伏特的低正向压降,有效提升了电能使用效率,减少了热量输出,是构建高能效、紧凑型电子设备的优选元件。