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全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 10A 650V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

碳化硅SiC

此款碳化硅二极管具备2A的正向电流(IF/A),可承受高达1200V的反向电压(VR/V),适用于需要高电压稳定性的电子设备。其正向电压(VF/V)为1.4V,有助于减少能量损失,提高系统效率。该二极管的反向漏电流(IR/uA)仅为8微安,展示出优异的隔离特性。同时,它能够承受最高24A的瞬态正向浪涌电流(IFSM/A),增强了在复杂电路条件下的可靠性与耐用性,是追求高性能应用的理想选择。

碳化硅SiC

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 10A 650V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 10A 650V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 10A 650V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

650 V、10 A高浪涌碳化硅功率肖特基二极管

总电容电荷(Qc):52nC 总功率(Ptot):352W

公开页面暂无产品说明。

特性:正温度系数。 与温度无关的开关特性。 最高工作温度达175°C。 单极器件,零反向恢复电流。 零正向恢复电流。 基本无开关损耗。应用:功率因数校正(PFC)。 太阳能逆变器

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 30A 650V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 30A 650V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

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碳化硅二极管产品,耐压:1200V,电流:20A,Vf:1.42V@20A, Qc:116nC

总电容电荷(Qc):37nC 总功率(Ptot):270W

特性:650 伏肖特基整流器。 零反向恢复电流。 零正向恢复电压。 高频操作。 与温度无关的开关特性。 极快的开关速度。应用:开关电源。 功率因数校正

碳化硅二极管产品,耐压:1200V,电流:40A,Vf:1.45V@40A, Qc:217nC

公开页面暂无产品说明。

这款碳化硅二极管具备卓越的电气特性,其最大工作电流IF可达20安培,反向击穿电压VR高达650伏特,正向电压降VF仅为1.3伏特,能够在高频率与严苛条件下保持稳定性能。适用于需要高效能与可靠性的电路设计中,如电源转换、逆变以及其他对效率和热性能有严格要求的应用领域。