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特性:零反向恢复电流。 零正向恢复电压。 正向电压VF具有正温度系数。 温度无关的开关特性。 175°C工作结温。 用单极器件替代双极器件。应用:开关电源。 功率因数校正

特性:正温度系数。 温度无关的开关特性。 最高工作温度175°C。 单极器件,零反向恢复电流。 零正向恢复电流。 基本无开关损耗。应用:功率因数校正 (PFC)。 太阳能逆变器

这款碳化硅二极管是大功率应用的高性能解决方案,耐压650V保证了在高压系统中的稳定工作,30A的高电流处理能力满足最苛刻的电力需求。其卓越的1.3V低正向压降特性,有效提升了能源利用效率,尤其适合于需要高能效转换的精密电子设计。

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这款碳化硅二极管具有25A的最大连续正向电流(IF/A),能够承受高达1700V的反向电压(VR/V),保证了其在高压环境下的可靠性。该二极管的正向电压降(VF/V)仅为1.4V,在大电流工作条件下能够有效降低能耗。在反向偏压下,其漏电流(IR/uA)控制在200微安以下,显示出了良好的阻断性能。瞬态条件下,此二极管可处理高达225A的正向浪涌电流(IFSM/A),增强了其应对瞬时过载的能力。这些特性使得该元件适用于要求苛刻的电路设计中,如高性能电源转换及高频开关电路等场景。

该碳化硅二极管采用独立式配置,额定正向电流(IF)为10A,最大反向重复电压(VR)达650V,正向压降(VF)典型值为1.37V,在浪涌条件下可承受高达80A的非重复峰值正向电流(IFSM)。其基于碳化硅材料的特性,具备优异的高频性能与低导通损耗,适用于对效率和热管理要求较高的电源转换场景。器件结构设计支持快速开关操作,有助于降低系统整体能耗并提升功率密度。

这款碳化硅二极管突破性地达到了1700V的工作电压,同时提供25A的大电流处理能力,加之1.4V的低正向压降,成为高电压大功率应用领域的佼佼者。它完美融合了高耐压、强载流与高效能特性,是先进电源技术和能源系统升级的优选器件。

碳化硅二极管,1200V,5A

这款碳化硅肖特基二极管采用TO-220-2L封装,具有1200V高反向耐压和5A连续正向电流承载力,其正向导通电压VF低至1.4V。适用于高效能电源转换、工业逆变器及新能源系统,具备卓越的高温稳定性和快速恢复特性,实现小型化与节能型整流方案。

总电容电荷(Qc):110nC 总功率(Ptot):250W

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 10A 650V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

总电容电荷(Qc):99nC 总功率(Ptot):242W

特性:1.2kV肖特基整流器。 零反向恢复电流。 零正向恢复。 高频操作。 与温度无关的开关特性。 低正向电压。应用:开关模式电源。 功率因数校正

总电容电荷(Qc):77.5nC 总功率(Ptot):174.5W

碳化硅肖特基二极管 直流反向耐压(Vr):650V 平均整流电流(Io):30A 正向压降(Vf):1.27V 总电容电荷(Qc):24nC 总功率(Ptot):136W

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IFSM/A:33、VRRM/V:650、VF/V:1.45、碳化硅二极管、TO-220F、最小包装量:50PCS/管,1K/盒

是第二代碳化硅JBS,具有较低的正向压降(VF),提供了先进的性能。专为需要高效率和高可靠性的高频应用而设计。

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 10A 1200V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

特性:革命性的半导体材料。 碳化硅。 开关行为基准。 无反向恢复 / 无正向恢复。 与温度无关的开关行为。 高浪涌电流能力。应用:开关电源(如连续导通模式功率因数校正)。 电机驱动