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总电容电荷(Qc):96nC 总功率(Ptot):231W

碳化硅二极管产品,耐压:1200V,电流:50A,Vf:1.45V@50A, Qc:268nC

凭借碳化硅 (SiC) 肖特基势垒二极管的性能优势,电力电子系统有望达到比基于硅的解决方案更高的效率标准,同时还能实现更高的频率和功率密度。SiC 二极管可以轻松并联以满足各种应用需求,无需担心热失控。结合 SiC 产品减少的冷却要求和改进的热性能,SiC 二极管能够在各种不同的应用中提供更低的总体系统成本。

这款碳化硅二极管具有卓越的电气特性,整流电流IF最高可达100安培,反向耐压VR为650伏特,而正向电压VF低至1.3伏特。这些参数表明它能在大电流条件下工作,并且由于较低的VF值,可以有效降低导通时的能量损失。适用于需要处理高电流且要求高效能的应用场景,如高频电源转换或其它需要快速开关特性的电路设计中,能够提升系统的整体效率并保持良好的热稳定性。

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碳化硅二极管,650V,10A

整流电流IF(AV): 8A@TC=150°C 反向电压VRRM: 650V 正向压降VF: 1.8V@8A 反向电流IR: 20uA 结温TJ:-55~+175°C

基于宽带隙碳化硅的650V肖特基二极管,专为高性能和耐用性而设计。是高速硬开关和宽温度范围内高效运行的最佳选择,也推荐用于所有受硅超快恢复特性影响的应用。

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 10A 1200V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

碳化硅二极管具有高耐压、高开关速度、低导通电阻等特点,适用于高温、高频、大功率等恶劣环境下的电子设备。

这款碳化硅二极管专为高电压低电流应用打造,耐压达到1200V,尽管电流额定值为2A,但其正向压降仅为1.4V,展现了出色的电压承受能力和能效。它非常适合于精密电路及要求严格电压控制的场合,是高性能、低功耗设计的优选组件。

碳化硅SiC

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 10A 650V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

总电容电荷(Qc):54nC 总功率(Ptot):187W

SiC Schottky; Vrrm=1200V, If=40A@Tc=141°C, Vf=1.5V@40A

总电容电荷(Qc):110nC 总功率(Ptot):250W

这是第二代 SiC JBS,具有较低的正向电压(VF),提供了先进的性能。它专为需要高效率和高可靠性的高频应用而设计。

总电容电荷(Qc):77.5nC 总功率(Ptot):440W

总电容电荷(Qc):44.5nC 总功率(Ptot):300W

特性:1.7kV 肖特基整流器。 零反向恢复电流。 高频操作。 与温度无关的开关。 极快的开关速度。 正向电压(VF)具有正温度系数。应用:开关模式电源 (SMPS)。 PFC 或 DC/DC 级中的升压二极管