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碳化硅二极管产品,耐压:1200V,电流:100A,Vf:1.45V@50A, Qc:268nC

该碳化硅二极管具有2A的正向电流(IF)和650V的反向耐压(VR),适用于中高压功率转换场景。其正向导通压降(VF)低至1.3V,可有效减少导通损耗,提升系统整体能效。在关断状态下,反向漏电流(IR)仅为2μA,表现出优异的阻断特性与稳定性。得益于碳化硅材料的特性,该器件具备快速开关能力和良好的热性能,适合用于高频率开关电源、高效DC-DC转换器及要求紧凑设计的电力变换模块,有助于减小被动元件体积并提升功率密度。

碳化硅二极管,650V,4A

碳化硅二极管,650V,6A

碳化硅二极管,650V,6A

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碳化硅二极管 SiC SBD 贴片封装 应用于UPS、快充、微逆、电源、电动工具、消费类产品、工控

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这款碳化硅二极管具有8A的最大正向电流(IF),能够承受高达650V的反向电压(VR),保证了其在高压环境下的可靠性。该二极管在其工作期间展现出较低的正向电压降(VF)为1.3V,这意味着它在导通状态下损耗的能量较少,有助于提升系统的整体效率。适用于需要高效率及稳定性能的电路设计中,特别是在要求快速开关特性的场合下表现优异。

碳化硅二极管

这款碳化硅二极管具有5A的正向电流(IF/A),能够承受最高达1200V的反向电压(VR/V),确保了其在高电压环境下的可靠性。该二极管的正向电压降(VF/V)仅为1.4V,在保证高效能的同时减少了能量损耗。其反向漏电流(IR/uA)控制在100微安以内,显示出良好的阻断性能。此外,瞬态正向浪涌电流(IFSM/A)可达45A,表明该二极管能够在短时间内处理较大的电流波动,适用于需要高效率及高可靠性的电路设计中。

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碳化硅二极管具有高耐压、高开关速度、低导通电阻等特点,适用于高温、高频、大功率等恶劣环境下的电子设备。

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 15A 1200V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

总电容电荷(Qc):54nC 总功率(Ptot):187W

采用全新技术和设计,提供卓越的开关性能和更高的可靠性,适用于功率因数校正(PFC)、开关电源(SMPS)和通用应用。

碳化硅 (SiC) 肖特基二极管使用全新技术,能够提供卓越的开关性能, 且比硅具有更高的可靠性。碳化硅的无逆向恢复电流、温度无关开关特性和卓越的热性能, 使其成为下一代功率半导体产品。系统优点包括最高能效、更快的运行频率、提高的功率密度、降低的 EMI,以及减小的系统尺寸和成本。Llew

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 10A 1200V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

SiC Schottky; Vrrm=1700V, If=50A@Tc=137°C, Vf=1.7V@50A

特性:正温度系数。 与温度无关的开关特性。 最高工作温度为175°C。 单极器件,零反向恢复电流。 零正向恢复电流。 基本无开关损耗。应用:功率因数校正(PFC)。 太阳能逆变器