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特性:肖特基整流器 / 650-Volt Schottky Rectifier。零反向恢复电流 / Zero Reverse Recovery Current。零正向恢复电压 / Zero Forward Recovery Voltage。高工作频率 / High-Frequency Operation。应用:开关电源 / Switch Mode Power Supplies (SMPS)。功率因数校正 / Power Factor Correction

碳化硅二极管具有高耐压、高开关速度、低导通电阻等特点,适用于高温、高频、大功率等恶劣环境下的电子设备。

总电容电荷(Qc):23nC 总功率(Ptot):73W

总电容电荷(Qc):23nC 总功率(Ptot):73W

总电容电荷(Qc):20nC 总功率(Ptot):92.6W

该碳化硅二极管采用独立式配置,额定正向电流(IF)为8A,最大反向重复峰值电压(VR)达650V,正向压降(VF)典型值为1.3V,在浪涌条件下可承受高达64A的非重复峰值正向电流(IFSM)。凭借碳化硅材料的特性,器件在高频、高温环境下表现出优异的开关性能与热稳定性,适用于对效率和功率密度有较高要求的电源转换场合。

总电容电荷(Qc):20nC 总功率(Ptot):92.6W

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 10A 650V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

碳化硅二极管具有高耐压、高开关速度、低导通电阻等特点,适用于高温、高频、大功率等恶劣环境下的电子设备。

特性:1.2kV 肖特基整流器。 零反向恢复电流。 高频操作。 与温度无关的开关。 极快的开关速度。 反向电压(Vr)具有正温度系数。应用:开关模式电源(SMPS)。 PFC 或 DC/DC 级中的升压二极管

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 10A 650V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 5A 1200V VF:1.38V JSMSEMI SIC BSD

这款碳化硅二极管具有10A的正向电流(IF/A),能够承受最高650V的反向电压(VR/V)。其正向电压降(VF/V)仅为1.3V,在反向偏置条件下,漏电流(IR/uA)不超过50微安。此外,该二极管瞬态正向浪涌电流(IFSM/A)可达80A,在高频开关电源和其他需要高效能与高可靠性的电路中,可以提供卓越的性能表现。

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 10A 1200V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

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全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 15A 1200V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 10A 1200V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

这款碳化硅二极管专为高功率应用优化,耐压650V确保了在严苛电压条件下的可靠性。10A大电流处理能力结合仅1.3V的低正向压降,标志着其在电流转换中的高效表现,是追求极致能效与热管理解决方案的不二之选。

SiC Schottky; Vrrm=1200V, If=60A@Tc=143°C, Vf=1.45V@60A

总电容电荷(Qc):110nC 总功率(Ptot):250W