海量元器件型号，
快速搜索匹配。

该碳化硅二极管具有4A的正向电流(IF)和650V的反向耐压(VR),适用于高效率电源转换场景。其正向导通压降(VF)为1.3V,在同类器件中表现出较低的导通损耗,有助于提升系统整体能效。反向漏电流(IR)典型值为10μA,具备良好的阻断特性与高温稳定性。得益于碳化硅材料的特性,该器件可在较高结温下稳定工作,适用于开关电源、光伏逆变、高密度适配器等对功率密度和热性能有较高要求的电力电子装置中,实现快速开关与低损耗运行。

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 10A 650V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 10A 650V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 10A 650V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

特性:革命性的半导体材料。 碳化硅。 开关行为基准。 无反向恢复/无正向恢复。 与温度无关的开关行为。 高浪涌电流能力。应用:SMPS(如CCM PFC)。 电机驱动器

此款碳化硅二极管具备5A的正向电流(IF),能够承受高达1200V的反向电压(VR),使其在高电压应用中表现出色。其正向电压(VF)为1.4V,保证了较低的能量损耗,而反向漏电流(IR)仅为100uA,减少了不必要的能耗。瞬间正向浪涌电流(IFSM)可达45A,提升了产品在突发状况下的可靠性与稳定性。该二极管适用于需要高效能和紧凑设计的场合,如电源管理和可再生能源系统等领域。

650 V、6 A高浪涌碳化硅功率肖特基二极管

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 10A 650V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

碳化硅二极管产品,耐压:1200V,电流:30A,Vf:1.42V@30A, Qc:158nC

总电容电荷(Qc):37nC 总功率(Ptot):270W

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 10A 1200V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 10A 650V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 10A 650V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 10A 650V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 10A 650V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

这款碳化硅二极管采用双路并联设计,每路耐压650V,合计可承载高达16A电流,特别适合需要高电流处理能力的应用。其正向压降仅为1.3V,有效提升了能效,减少了工作时的热损耗,是构建高效、紧凑型电源系统不可或缺的元件。

这款碳化硅二极管具有20A的最大连续正向电流(IF/A),并在650V的反向电压(VR/V)下提供稳定的阻断能力。其正向电压(VF/V)为1.3V,有效降低了导通时的电力损耗。二极管的反向漏电流(IR/uA)为40微安,保证了在非导通状态下的低功耗表现。瞬态正向浪涌电流(IFSM/A)可达150A,使其成为高频开关电源和其他要求苛刻的电子设备中的关键组件,适用于需要快速切换与高可靠性的电路设计。

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 20A 1200V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

这款碳化硅二极管拥有10A的正向平均电流(IF)能力和高达1200V的反向耐压(VR),适用于需要承受高电压的应用。其正向电压降(VF)为1.4V,有助于减少热损耗。该器件还表现出优秀的电性能,包括仅100μA的低反向漏电流(IR)以及90A的非重复峰值浪涌电流(IFSM)能力,能够有效应对突发的大电流情况。它适合于那些要求高效能与稳定性的电力转换和管理电路中使用。

这款碳化硅二极管具有8A的最大正向电流(IF),能够承受高达650V的反向电压(VR),确保了在高电压环境下的稳定性。其正向电压降(VF)仅为1.3V,在保证性能的同时,降低了能量损耗。此元件适用于高频开关电源、逆变器以及其他需要高效能、可靠性的电子设备中,能够在减少热管理需求的同时提供更佳的系统效率。