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这款碳化硅二极管具有20安培的正向电流(IF),能够承受最高达1200伏特的反向电压(VR),确保了其在高电压环境下的可靠性。该二极管的正向电压降(VF)仅为1.5伏特,在大电流工作条件下能够减少能量损耗。其反向漏电流(IR)为200微安,在非导通状态下有效抑制了不必要的电流流动。瞬态正向浪涌电流(IFSM)最高可达130安培,适用于需要短时间承受电流峰值的应用场合。此元件适合用于需要高效率及稳定性的电路设计中,如开关电源和其他需要高性能整流解决方案的领域。

碳化硅二极管产品,耐压:1200V,电流:60A,Vf:1.42V@30A, Qc:158nC

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 20A 1200V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

碳化硅SiC

特性:正温度系数。温度无关开关。最高工作温度175°C。单极器件,零反向恢复电流。零正向恢复电流。基本无开关损耗。应用:功率因数校正(PFC)。太阳能逆变器

SIC JBS MOUDLE 1200V200A

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碳化硅二极管,650V,3A

适配器,充电器,电机驱动,同步整流,负载开关,控制板,BMS

碳化硅二极管 SiC SBD 贴片封装 应用于UPS、快充、微逆、电源、电动工具、消费类产品、工控

OBC充电机,化成电源,医疗电源,金牌PC电源,服务器电源,TV电源,充电桩,通讯电源,谐振方案,工控

碳化硅二极管,650V,10A

碳化硅二极管具有高耐压、高开关速度、低导通电阻等特点,适用于高温、高频、大功率等恶劣环境下的电子设备。

总电容电荷(Qc):110nC 总功率(Ptot):250W

总电容电荷(Qc):23nC 总功率(Ptot):73W

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 6A 650V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

OBC充电机,化成电源,医疗电源,金牌PC电源,服务器电源,TV电源,充电桩,通讯电源,谐振方案,工控

总电容电荷(Qc):23nC 总功率(Ptot):73W

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 5A 1200V VF:1.38V JSMSEMI SIC BSD

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 10A 650V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD