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全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 10A 650V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 10A 650V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 10A 650V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 10A 650V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

碳化硅二极管产品,耐压:1200V,电流:20A,Vf:1.42V@20A, Qc:116nC

特性:革命性的半导体材料。 碳化硅。 开关性能基准。 无反向恢复 / 无正向恢复。 与温度无关的开关特性。 高浪涌电流能力。应用:SMPS(例如CCM PFC)。 电机驱动

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 10A 650V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

该碳化硅二极管为独立式结构,额定正向电流(IF)为2A,反向重复峰值电压(VR)达1200V,适用于高电压、中低电流的功率转换场合。其正向压降(VF)典型值为1.36V,导通损耗较低,有助于提升能效。基于碳化硅材料特性,器件具备优异的反向恢复能力,开关速度快,反向恢复电荷小,适用于高频工作环境。可广泛用于高效开关电源、高压直流转换模块、可再生能源发电系统的逆变单元以及高可靠性不间断电源设备中,支持在高温与高电压应力条件下稳定运行。

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 5A 1200V VF:1.38V JSMSEMI SIC BSD

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 10A 650V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 10A 650V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 10A 1200V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

公开页面暂无产品说明。

这款碳化硅二极管具备15A的正向电流(IF/A)承载能力,同时支持最高1200V的反向电压(VR/V),适合用于高电压需求的场合。其正向电压(VF/V)为1.27V,有助于减少工作时的能量损失。反向漏电流(IR/uA)为200微安,在非导通状态下提供良好的隔离性。瞬态峰值电流(IFSM/A)为100A,意味着它可以承受短时间内的电流冲击,增强了其在不稳定条件下的可靠性。这些特性使其成为需要稳健性能与高效工作的电子设计的理想选择。

该碳化硅二极管采用独立式配置,额定正向电流为6A,反向重复峰值电压为650V,正向压降典型值为1.3V,反向漏电流为50μA,非重复浪涌正向电流可达48A。凭借碳化硅材料的物理特性,器件在高频工作条件下仍保持较低的导通损耗和稳定的反向阻断能力,适用于高效率电源转换系统,如开关电源、功率因数校正模块及高频整流电路等场景。

商品目录 碳化硅二极管;整流电流 15A;正向压降(Vf) 1.43V@15A;直流反向耐压(Vr) 650V;反向电流(Ir) 10uA@650V

特性:1.2kV肖特基整流器。 零反向恢复电流。 高频操作。 温度无关的开关特性。 极快的开关速度。 正向电压VF具有正温度系数。应用:开关模式电源(SMPS)。 PFC或DC/DC级中的升压二极管

总电容电荷(Qc):110nC 总功率(Ptot):250W

该碳化硅二极管为独立式器件,具备30A的正向电流(IF)和650V的反向耐压(VR),适用于较高功率等级的电路设计。其正向导通压降(VF)典型值为1.4V,在高电流工作条件下可有效降低导通损耗。基于碳化硅材料的优异特性,该二极管具有极低的反向恢复电荷和快速开关能力,有助于提升系统整体能效并减少热管理压力。主要应用于高效开关电源、大功率DC-AC逆变装置、高频率DC-DC转换模块以及可再生能源发电系统的功率级设计。

碳化硅二极管产品,耐压:1200V,电流:40A,Vf:1.45V@40A, Qc:217nC