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二极管 / 晶体管型号

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此碳化硅二极管专为高功率应用设计,耐压650V可靠耐用,12A大电流承载力满足更广泛系统需求。其正向压降低至1.3V,确保高效能转换与低温运行,是提升现代电子设备能效与可靠性的关键元件。

HXY MOSFET(华轩阳电子)TO-263
二极管 / 晶体管碳化硅二极管
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该款碳化硅二极管设计有20安培的最大正向电流(IF/A),并能承受650伏特的最高反向电压(VR/V)。其工作时的正向电压降(VF/V)为1.5伏特,有助于减少能量损耗。在反向状态下,漏电流(IR/uA)为100微安,显示了较好的绝缘性能。此外,它支持高达123安培的瞬态正向电流(IFSM/A),适用于需要快速切换与稳定性能的高频电路中,可有效提升系统的整体效率。

HXY MOSFET(华轩阳电子)TO-220C-2L
二极管 / 晶体管碳化硅二极管
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该碳化硅二极管为独立式配置,具备10A的正向电流(IF)和1200V的反向耐压(VR),适用于高电压、高效率的电力电子电路。其正向导通压降(VF)为1.39V,在同类器件中表现优异,有助于降低导通损耗,提升系统能效。依托碳化硅材料的高热导率与高击穿场强特性,该器件支持高频工作,反向恢复特性优良,适用于开关电源、不间断电源及可再生能源发电系统中的整流与续流环节,尤其适合对功率密度和热性能有较高要求的紧凑型电源设计。

HXY MOSFET(华轩阳电子)TO-252-2L
二极管 / 晶体管碳化硅二极管
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这款碳化硅二极管拥有15安培的最大电流(IF)承载能力,以及650伏特的反向电压(VR)耐受度,能够在高压环境中稳定工作,确保电路的安全与可靠。其正向电压降(VF)仅为1.3伏特,在保证性能的同时,减少了能量损耗。此元件适用于需要高效率能量转换的场合,如高性能电源供应器、逆变器以及其他需要快速开关特性的电路设计中,能够提升系统的整体效率并减少发热。

HXY MOSFET(华轩阳电子)TO-263
二极管 / 晶体管碳化硅二极管
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碳化硅二极管产品,耐压:1200V,电流:50A,Vf:1.45V@50A, Qc:268nC

Siliup(矽普)TO-247-2L
二极管 / 晶体管碳化硅二极管
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碳化硅SiC

Tokmas(托克马斯)TO-247-3
二极管 / 晶体管碳化硅二极管
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碳化硅SiC

Tokmas(托克马斯)TO-263
二极管 / 晶体管碳化硅二极管
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全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 15A 1200V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

JSMSEMI(杰盛微)TO-247-2
二极管 / 晶体管碳化硅二极管
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此款碳化硅二极管具有20A的最大平均正向电流(IF/A),适用于要求严苛的电流处理需求。其额定反向电压(VR/V)为650V,确保了在高压环境下的可靠性。正向电压降(VF/V)为1.3V,有助于减少导通损耗,提高整体效率。反向漏电流(IR/uA)控制在40微安水平,表明其拥有良好的绝缘性能。此外,瞬态正向浪涌电流(IFSM/A)可达到150A,使其成为高频切换及需耐受瞬间大电流场合的理想选择,适用于追求高效能与稳定性的电子设计中。

HXY MOSFET(华轩阳电子)TO-247
二极管 / 晶体管碳化硅二极管
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全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 10A 1200V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

JSMSEMI(杰盛微)TO-220-2
二极管 / 晶体管碳化硅二极管
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全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 15A 1200V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

JSMSEMI(杰盛微)TO-247-3
二极管 / 晶体管碳化硅二极管
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该碳化硅二极管为独立式单管结构,额定平均正向整流电流为10A,反向重复峰值电压达650V,正向导通压降为1.38V,具备较低的导通损耗。得益于碳化硅材料的高耐热性与高击穿电场特性,该器件可在较高结温下稳定运行,并具有优异的反向恢复特性,显著减少开关过程中的能量损耗。适用于高效率功率转换电路,如大功率开关电源、不间断电源、储能系统及高压直流变换模块,有助于提升系统整体能效与功率密度。

HXY MOSFET(华轩阳电子)TO-220C-2L
二极管 / 晶体管碳化硅二极管
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全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 15A 1200V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

JSMSEMI(杰盛微)TO-247-2
二极管 / 晶体管碳化硅二极管
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全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 15A 1200V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

JSMSEMI(杰盛微)TO-247-2
二极管 / 晶体管碳化硅二极管
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全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 15A 1200V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

JSMSEMI(杰盛微)TO-247-2
二极管 / 晶体管碳化硅二极管
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这款碳化硅肖特基二极管采用TO-220-2L封装,具有1700V超高反向耐压及10A大电流承载力,正向导通电压VF仅为1.7V。适用于高压电力转换、光伏逆变和工业级电源系统,提供卓越的高温稳定性与快速恢复性能,实现高效能整流解决方案。

HXY MOSFET(华轩阳电子)TO-220-2L
二极管 / 晶体管碳化硅二极管
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特性:正温度系数。 与温度无关的开关。 最高工作温度175°C。 单极器件,零反向恢复电流。 零正向恢复电流。 基本无开关损耗。应用:功率因数校正(PFC)。 太阳能逆变器

YANGJIE(扬杰)TO-247AC
二极管 / 晶体管碳化硅二极管
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该碳化硅二极管为独立式器件,具备20A的正向电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR),适用于中高功率电源转换场景。其正向导通压降(VF)典型值为1.4V,可在高电流工作条件下有效降低导通损耗。基于碳化硅材料的优异特性,该二极管具有极低的反向恢复电荷和快速开关能力,显著减少开关过程中的能量损耗。适用于高频率、高效率的开关电源、直流变换模块及可再生能源发电系统中的整流与续流环节,尤其适合对热管理性能和功率密度要求较高的紧凑型电力电子装置。

HXY MOSFET(华轩阳电子)TO-247-2L
二极管 / 晶体管碳化硅二极管
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该碳化硅二极管拥有40安培的正向电流(IF/A)承载能力,以及1200伏特的反向电压(VR/V)耐受度,适用于高电压和大电流需求的应用场景。其正向电压降(VF/V)为1.5伏特,有助于降低工作时的能耗。在反向偏置条件下,漏电流(IR/uA)为300微安,表明其具有较好的阻断特性。此外,该二极管能够承受瞬间高达161安培的正向浪涌电流(IFSM/A),提升了其在非稳态条件下的可靠性和鲁棒性。因此,这种二极管非常适合应用于需要快速开关和高效率的电源转换器等场合。

HXY MOSFET(华轩阳电子)TO-247-2L
二极管 / 晶体管碳化硅二极管
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碳化硅二极管,650V,4A

Bestirpower(萃锦半导体)TO-252NC
二极管 / 晶体管碳化硅二极管
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