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SiC Schottky; Vrrm=650V, If=6A@Tc=162°C, Vf=1.3V@6A

该碳化硅二极管为独立式配置,具有4A的额定正向电流和650V的反向重复峰值电压,正向导通压降为1.4V,展现出较低的导通损耗。器件可承受高达36A的非重复浪涌正向电流,具备良好的瞬态电流耐受能力。得益于碳化硅材料的特性,其在高频开关条件下仍能维持高效运行,适用于对体积、效率及热管理有较高要求的电源转换与功率因数校正等电路中。

这款碳化硅二极管具备2A的正向电流(IF),可在电路中承载稳定的电流负载。其设计支持最高650V的反向电压(VR),确保了在高压条件下的安全运行。同时,该二极管展示出1.3V的正向电压降(VF),这表明其在导通状态下的能量损失较小,有助于提高电路中的能量转换效率。此元件适用于高频开关电源以及其他对效率与可靠性有较高要求的应用中,是追求高性能电子设计的理想选择。

碳化硅二极管具有高耐压、高开关速度、低导通电阻等特点,适用于高温、高频、大功率等恶劣环境下的电子设备。

该碳化硅二极管为独立式结构,额定正向电流(IF)为6A,最大反向重复电压(VR)达650V。其正向压降(VF)典型值为1.3V,有助于降低导通损耗;反向漏电流(IR)仅为50μA,体现出良好的反向阻断能力。器件可承受48A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM),适用于高频开关电源、功率因数校正电路以及各类高效电能转换系统,在高效率与高可靠性要求的场景中表现突出。

总电容电荷(Qc):20nC 总功率(Ptot):107W

特性:低反向电流。 良好的浪涌电流能力。 低电容电荷。 无反向恢复电流。 无卤,符合RoHS标准。 与Si二极管相比,提高系统效率。应用:开关模式电源 (SMPS)。 不间断电源

该碳化硅二极管采用独立式配置,具备6A的正向电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR),正向压降(VF)为1.36V。器件利用碳化硅材料特性,具有优异的开关性能和热稳定性,可实现高频、高效率的整流功能。适用于高功率密度电源转换场景,如高效开关电源、光伏逆变系统及高可靠性储能装置中的功率因数校正和续流保护电路,能有效降低系统损耗,提升整体能效水平。

应用:大功率适配器,PC金牌电源,服务器电源,工业电源,PFC升压模块,UPS电源

该碳化硅二极管采用独立式配置,额定正向电流为4A,反向重复峰值电压为650V,正向导通压降典型值为1.4V,可承受高达36A的非重复浪涌正向电流。基于碳化硅材料的特性,器件具备快速恢复能力和较低的开关损耗,适用于高频整流、开关电源以及功率因数校正等电路,在提升能效的同时有助于优化整体热设计。

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全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 6A 650V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 6A 650V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 6A 650V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

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全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 6A 650V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

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这款碳化硅二极管具有4A的最大电流(IF)承载能力,以及650V的反向电压(VR),适用于需要高效率及高频操作的应用场景。其正向电压降(VF)仅为1.3V,在保证性能的同时,能有效减少能量损耗。此元件特别适合用于需要快速开关特性和恶劣环境下稳定工作的电路设计中,如高性能电源转换系统或便携式设备充电解决方案等。选用该碳化硅二极管,可以显著提升电子设备的工作效率与可靠性。