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全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 10A 650V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 10A 650V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

特性:零正向/反向恢复电流。 高阻断电压。 高频操作。 正向电压(VF)具有正温度系数。 与温度无关的开关特性。 高浪涌电流能力。应用:电机驱动。 太阳能

该碳化硅二极管采用独立式配置,具有10A的额定正向电流(IF)和650V的最大反向重复电压(VR),正向压降(VF)为1.5V,反向漏电流(IR)为60μA。其非重复浪涌正向电流(IFSM)可达90A,凭借碳化硅材料特性,在高频工作条件下仍能保持较低的开关损耗与良好的热稳定性,适用于高效率电源、开关模式电源及高频整流等应用场合。

此款碳化硅二极管专为高性能应用设计,具备650V高耐压,能承载6A强劲电流,其优异的1.3V低正向压降特性,大幅降低了能量损耗,提升了系统效率,是高能效电源管理及精密电路的优选组件。

特性:1.2kV 肖特基整流器。 零反向恢复电流。 高频操作。 温度无关的开关特性。 极快的开关速度。 正向电压(VF)具有正温度系数。应用:开关模式电源(SMPS)。 PFC 或 DC/DC 阶段的升压二极管

SiC Schottky; Vrrm=1200V, If=10A@Tc=152°C, Vf=1.5V@10A

碳化硅SiC

该碳化硅二极管为独立式结构,额定正向电流(IF)为10A,反向重复电压(VR)达650V,适用于中高功率电力转换应用。其正向导通压降(VF)为1.38V,在高电流工作条件下仍可保持较低的导通损耗。基于碳化硅材料,该器件具备优异的高温工作性能和极快的开关速度,反向恢复电荷小,有助于减少系统开关损耗并提升转换效率。典型应用包括高效AC-DC与DC-DC电源模块、可再生能源发电中的逆变电路、高密度电源适配器以及对热管理要求较高的封闭式电子设备中的整流单元。

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 10A 650V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

该碳化硅二极管采用独立式配置,额定正向电流(IF)为10A,最大反向重复电压(VR)达650V,正向压降(VF)典型值为1.5V,反向漏电流(IR)低至60μA,具备优异的导通与阻断特性。其非重复浪涌正向电流(IFSM)可达90A,适用于对效率和热性能要求较高的高频开关场景。器件利用碳化硅材料优势,在高电压、高频率工作条件下仍能保持较低损耗与良好稳定性,适合用于电源转换、可再生能源系统及高性能电子设备中的整流与续流功能。

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 10A 650V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

SiC Schottky; Vrrm=1200V, If=10A@Tc=157°C, Vf=1.4V@10A

这款碳化硅二极管具备10安培的正向电流(IF)承载能力,并能承受650伏特的反向电压(VR)。其正向电压降(VF)为1.3伏特,有助于提升电路效率。反向漏电流(IR)控制在50微安以内,展现了良好的阻断性能。此外,瞬态正向浪涌电流(IFSM)可以达到80安培,适合应用于需要快速切换且对电流峰值有一定要求的场景中,如高性能电源转换和其他需要可靠二极管性能的技术领域。

SiC Schottky; Vrrm=1700V, If=10A@Tc=165°C, Vf=1.4V@10A

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 10A 650V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

SiC Schottky; Vrrm=1200V,If=15/30A@Tc=142°C, Vf=1.45V@15A,共阴极

正向压降(VF):1.45V@10A;最大反向耐压(VR):1200V;最大整流电流(IF):10A;最大正向浪涌电流(IFSM):96A;反向电流(IR): 5uA; 电荷(QC):61nC

这款碳化硅肖特基二极管采用TO-220-2L封装,具有1200V高反向耐压及高达20A的连续正向电流能力,其正向导通电压VF为1.5V。专为高性能电源转换、电动汽车充电和工业逆变器设计,提供卓越的高温稳定性、超低损耗及快速开关特性。

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 10A 650V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD