海量元器件型号，
快速搜索匹配。

总电容电荷(Qc):52nC 总功率(Ptot):158W

该碳化硅二极管采用独立式配置,额定正向电流为6A,最大反向重复峰值电压达650V,正向压降典型值为1.36V,在浪涌条件下可承受高达66A的非重复峰值正向电流。其基于碳化硅材料特性,具备低导通损耗与优异的高频开关性能,适用于对效率和热管理要求较高的电源转换场合,如高频整流、开关电源及功率因数校正等应用领域。

碳化硅 (SiC) 肖特基二极管使用全新技术,能够提供卓越的开关性能, 且比硅具有更高的可靠性。碳化硅的无逆向恢复电流、温度无关开关特性和卓越的热性能

碳化硅二极管 SiC SBD 管装 应用于电源、工控、空调等、电动工具、储能

该碳化硅二极管采用独立式配置,额定正向电流IF为8A,最大反向重复电压VR达650V,正向压降VF典型值为1.42V,具备较低的导通损耗。器件可承受60A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM),在高频开关应用中表现出优异的动态性能和热稳定性。适用于高效率电源转换、开关模式整流及对能效与响应速度有较高要求的电子系统。

该碳化硅二极管为独立式结构,具有10A的额定正向电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR),正向压降(VF)典型值为1.3V,反向漏电流(IR)仅为50μA,表现出低导通损耗与优异的阻断能力。器件可承受高达80A的非重复浪涌正向电流(IFSM),适用于高频、高效率的电源转换系统,在提升能效的同时有助于减小散热设计负担。

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 10A 1200V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 10A 1200V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

这款碳化硅肖特基二极管采用TO-247-2L封装,具有1200V高反向耐压和20A大电流承载能力,其正向导通电压VF为1.5V。专为高端电源转换、电动汽车充电系统及工业应用打造,提供卓越的高温稳定性和快速恢复性能,实现高效能电力整流解决方案。

碳化硅SiC

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 20A 1200V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

特性:温度无关的开关特性。无反向恢复电流/无正向恢复。出色的热性能。高浪涌电流能力。应用:开关模式电源。功率因数校正

总电容电荷(Qc):110nC 总功率(Ptot):250W

该碳化硅二极管采用独立式配置,具备30A的正向电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR),在高负载条件下可保持稳定性能。其正向压降低至1.41V,有助于减少导通损耗,提升系统整体能效。器件利用碳化硅材料特性,支持高频开关操作,反向恢复特性优异,可有效降低开关损耗。适用于高密度电源转换设计,如高效开关电源、服务器电源模块及可再生能源逆变系统,满足对热性能和可靠性要求较高的应用场景。

特性:1200V肖特基整流器。 零反向恢复电流。 高频操作。 与温度无关的开关。 极快的开关速度。 正向电压VF具有正温度系数。应用:开关电源 (SMPS)。 PFC或DC/DC级中的升压二极管

该碳化硅二极管采用独立式结构,额定正向电流为10A,最大反向重复电压达650V,正向压降低至1.3V,反向漏电流仅为50μA,具备优异的导通与阻断特性。其非重复峰值正向浪涌电流能力为80A,适用于对效率和热性能要求较高的高频开关场景。器件利用碳化硅材料优势,在保持低损耗的同时提升系统整体响应速度与稳定性,适合用于高密度电源转换及高性能电力电子模块中。

该产品系列提供了先进的性能,专为需要高效率和高可靠性的高频应用而设计。

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 10A 1200V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

这款碳化硅二极管具备出色的电气特性,其最大平均正向电流(IF)可达16A,在反向电压(VR)为650V的情况下能够确保电路的安全运行。该二极管在正向导通时电压降(VF)仅为1.3V,有助于减少能量损耗。在温度升高时,其反向漏电流(IR)被限制在100μA以内,保证了在不同环境下的稳定性。瞬态正向浪涌电流(IFSM)最高支持128A,使得它能够在承受短时过载的情况下正常工作。这些特性使其适用于高频开关电源、逆变器以及其他需要高效能转换的应用中。

此款碳化硅二极管提供20安培的正向电流(IF),并支持最高650伏特的反向电压(VR),适用于需要处理较高电压的应用场景。其正向电压降(VF)为1.5伏特,有助于减少能量损失。在反向偏置条件下,漏电流(IR)维持在100微安水平,显示了良好的阻隔能力。此外,该二极管可以承受高达123安培的瞬时正向浪涌电流(IFSM),增强了在非稳态条件下的耐用性。这些技术规格使其成为高频开关和其他需要快速响应与低损耗电子装置的理想组件。