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该碳化硅二极管为独立式器件,具备40A的正向电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR),适用于中高压功率场合。其正向导通压降(VF)为1.47V,在高频工作条件下可有效降低导通损耗。基于碳化硅材料的特性,该二极管具有优异的反向恢复性能和高温工作能力,支持快速开关,减少能量损耗。常用于高效开关电源、通信电源模块、可再生能源发电系统的逆变与整流电路,以及对能效和散热设计有较高要求的电力变换装置中,有助于提升系统功率密度与运行稳定性。

该碳化硅二极管采用独立式配置,具备20A的正向电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR),正向压降(VF)低至1.4V。其基于碳化硅材料的特性,具有优异的开关性能和高温工作能力,反向恢复时间极短,能量损耗显著低于传统硅基器件。该器件适用于高效率电源转换场合,如大功率开关电源、服务器电源模块、光伏逆变系统及储能设备中的整流与续流单元,有助于提升系统整体能效并减少散热设计负担。

ThinQ!TM 第五代代表了英飞凌碳化硅肖特基势垒二极管的前沿技术。英飞凌专有的扩散焊接工艺(已在第三代产品中引入),现在与全新、更紧凑的设计和薄晶圆技术相结合。其结果是一个新的产品系列,在所有负载条件下都能提高效率,这得益于改进的热特性和更低的品质因数 (Qc×Vf)。新的 ThinQ!TM 第五代产品旨在与我们的 650V CoolMOS 系列产品互补,确保满足该电压范围内最严格的应用要求。

此款碳化硅二极管具有10A的正向电流(IF/A)处理能力,以及高达1200V的反向电压(VR/V),适用于高耐压和中等电流的应用场合。其正向电压降(VF/V)为1.4V,在高效能操作时可减少电力损耗。反向电流(IR/uA)为100微安,表明在非导通期间有良好的阻断性能。瞬态正向浪涌电流(IFSM/A)可达90A,使得该二极管能够在短时间内承受电流峰值,适用于需要可靠阻断能力和快速恢复特性的电路设计。

这款碳化硅二极管具备30A的正向电流(IF),以及650V的反向电压(VR)耐受能力,适合应用于高压环境中。其正向压降(VF)为1.3V,有助于减少在导通状态下的能量损失。反向漏电流(IR)在室温下为150微安,表明其拥有较好的绝缘性能。此外,该二极管支持高达210A的正向浪涌电流(IFSM),使其成为应对瞬时高电流需求的理想选择,适用于高频开关模式下的整流以及其他需要高性能电流管理的场合。

这款碳化硅二极管拥有30A的正向平均电流(IF)和650V的反向电压(VR),适合高压应用。其正向电压(VF)低至1.3V,有助于降低系统功耗。反向漏电流(IR)为150μA,确保了良好的绝缘性能。此外,该二极管支持高达210A的非重复峰值浪涌电流(IFSM),增强了应对突发情况的能力。凭借优异的热稳定性和快速开关特性,适用于高效能电源转换器及逆变装置中,以实现更加紧凑和可靠的设计。

正向压降(VF):1.45V@20A;最大反向耐压(VR):1200V;最大整流电流(IF):40A;最大正向浪涌电流(IFSM):140A;反向电流(IR) :10uA; 电荷(QC):186nC

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1200V60A

这款采用TO-247封装的碳化硅肖特基二极管,拥有1200V超高反向耐压和40A强大正向电流能力,其正向导通电压VF为1.5V。专为高功率、高频开关及高效能电力电子系统设计,适用于太阳能逆变器、电动汽车充电器等严苛环境下的整流与续流应用。

该碳化硅二极管采用独立式配置,额定正向电流为6A,最大反向重复电压达650V,正向压降典型值为1.68V,在浪涌条件下可承受高达32A的非重复峰值正向电流。其基于碳化硅材料特性,具备较低的导通损耗与优异的高频开关性能,适用于对效率和热管理有较高要求的电源转换场景。器件结构设计支持快速恢复特性,有助于减少系统中的开关损耗与电磁干扰。

碳化硅SiC

1200 V、40 A高浪涌碳化硅功率肖特基二极管

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SiC Schottky; Vrrm=650V, If=6A@Tc=140°C, Vf=1.3V@6A

碳化硅二极管具有高耐压、高开关速度、低导通电阻等特点,适用于高温、高频、大功率等恶劣环境下的电子设备。

适配器,充电器,电机驱动,同步整流,负载开关,控制板,BMS,电动工具

该碳化硅二极管采用独立式配置,具备2A的正向电流(IF)和1200V的反向重复电压(VR),正向压降(VF)为1.36V。其高耐压特性与低导通损耗相结合,有助于提升电路转换效率。器件利用碳化硅材料的优异性能,支持高频开关操作,反向恢复时间极短,可有效减少开关过程中的能量损耗与发热。适用于高效率电源转换拓扑,如功率因数校正(PFC)电路、DC-DC变换器及高压整流应用,适合对能效和功率密度有较高要求的电力电子系统。

特性:正温度系数。 与温度无关的开关特性。 最高工作温度为175°C。 单极器件,零反向恢复电流。 零正向恢复电流。 基本无开关损耗。应用:功率因数校正(PFC)。 太阳能逆变器

此款碳化硅二极管设计有4安培的最大正向电流(IF/A),能承受高达650伏特的反向电压(VR/V)。其正向电压降(VF/V)为1.3伏特,有助于减少能耗并提高效率。在反向偏置状态下,其漏电流(IR/uA)不超过50微安,显示了良好的阻断性能。该二极管还具备36安培的峰值浪涌电流(IFSM/A),能够在极端情况下提供额外的安全裕量。这些特性使其非常适合应用于需要快速切换及稳定性能的电路中,如高频开关电源转换和逆变技术等领域。