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应用:大功率适配器,PC金牌电源,服务器电源,工业电源,PFC升压模块 ,家电,UPS电源

特性:650-伏肖特基整流器。 零反向恢复电流。 零正向恢复电压。 高频操作。 与温度无关的开关特性。 极快的开关速度。应用:开关模式电源。 功率因数校正

该碳化硅二极管采用独立式配置,具备8A的正向电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR),正向压降低至1.42V。器件利用碳化硅材料特性,具有优异的开关性能和高温工作能力,反向恢复时间极短,可有效降低系统开关损耗。其封装设计有利于散热与电路集成,适用于高频率、高效率的电力转换场合,如开关电源、光伏逆变、储能系统及高密度电源模块等场景,有助于提升整体能效与系统可靠性。

该碳化硅二极管采用独立式结构,额定正向电流为4A,最大反向重复峰值电压达650V,正向压降典型值为1.53V,在浪涌条件下可承受高达32A的非重复峰值正向电流。凭借碳化硅材料的特性,器件在高频、高温环境下表现出优异的稳定性和效率,适用于对开关速度和能效要求较高的电源转换与电力电子系统。

这款碳化硅二极管具备4安培的正向电流(IF),可承受高达650伏特的反向电压(VR),确保了其在高压条件下的稳定表现。该二极管的正向电压(VF)为1.3伏特,在导通状态下能够减少电力损耗。反向电流(IR)仅为50微安,体现了出色的绝缘性能。同时,它还拥有23安培的最大正向浪涌电流(IFSM),能够在短时电流峰值情况下保持可靠操作。这些特点使其成为要求严苛的电路设计中的理想选择,适用于需要高效能开关功能的多种电子设备中。

这款碳化硅肖特基二极管采用TO-220-2L封装,具有650V高反向耐压和10A大电流处理能力,正向导通电压VF为1.5V。适用于高效能电源转换、新能源汽车及工业领域,提供低损耗、快速恢复的优质整流方案,确保在严苛条件下稳定工作。

该碳化硅二极管采用独立式配置,额定正向电流IF为2A,最大反向重复电压VR为650V。其正向压降VF典型值为1.53V,在导通状态下具备较低的导通损耗。得益于碳化硅材料特性,器件在高频开关应用中表现出优异的动态性能和热稳定性,适用于对效率和响应速度有较高要求的电源整流、功率因数校正及高频变换器等电路拓扑中。

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 6A 650V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 6A 650V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

这款碳化硅二极管具有6安培的最大正向电流(IF/A),并且能够承受最高650伏特的反向电压(VR/V)。其正向压降(VF/V)仅为1.3伏特,在确保高效导电的同时,有效降低了能量损耗。该二极管在反向偏置条件下,漏电流(IR/uA)控制在50微安以下,表明其在关闭状态下的漏电极低。此外,它拥有高达48安培的瞬态浪涌电流能力(IFSM/A),能够在短时间内处理较大的电流波动而不损坏。这些特性使得它适用于高频开关电源、逆变器以及其他需要高效率和可靠性的电子设备中。

该碳化硅二极管采用独立式配置,具备8A的正向电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR),正向压降低至1.4V,有助于提升能效并减少热损耗。其基于碳化硅材料的特性,支持高频开关操作,反向恢复时间极短,适用于高效率电源转换设计。典型应用场景包括开关模式电源、功率因数校正电路、DC-DC转换器以及高密度电源模块,适合对散热性能和空间布局有较高要求的高性能电子设备。

商品目录 碳化硅二极管;二极管配置 独立式;整流电流 10A;正向压降(Vf) 1.7V;直流反向耐压(Vr) 650V;反向电流(Ir) 18uA

碳化硅二极管 SiC SBD 管装 应用于电源、工控、空调等、电动工具、储能

该碳化硅二极管为独立式结构,额定正向电流(IF)为8A,反向重复峰值电压(VR)达650V,正向压降(VF)低至1.42V。基于碳化硅半导体材料,具备优异的开关特性,反向恢复时间极短,开关损耗显著低于传统硅二极管。器件耐高温性能良好,可在较高工作温度下保持稳定。适用于高效率电源转换系统,如通信电源、服务器电源、可再生能源逆变装置以及高密度直流-直流变换器。其高频工作能力有助于减小外围滤波元件的体积,提升系统整体功率密度与能效水平。

该碳化硅二极管为独立式结构,额定正向电流(IF)为10A,反向重复峰值电压(VR)为650V,导通时正向压降(VF)低至1.37V。基于碳化硅材料的物理特性,器件具备优异的高温稳定性、极快的开关速度和极低的反向恢复电荷,适用于高频、高效率的电力转换应用。典型使用场景包括大功率开关电源、数据中心电源系统、可再生能源逆变装置及高密度DC-DC变换器,能够有效降低开关损耗,提升整体能效,并支持系统向更高功率密度和更优热管理方向发展。

碳化硅SiC

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 10A 650V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 10A 650V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 10A 650V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 10A 650V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD