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特性:反向耐压650V。 零反向恢复电流。 高工作频率。 开关特性不受温度影响。 快速开关速度。 正向压降正温度系数。应用:开关电源,AC/DC转换器。 功率因数校正

该碳化硅二极管采用独立式配置,额定正向电流(IF)为15A,最大反向重复电压(VR)达650V,正向压降(VF)典型值为1.5V,具备优异的导通特性。器件可承受高达100A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM),适用于对效率和热性能要求较高的高频开关场景。其碳化硅材料特性有效降低了开关损耗,提升了系统整体能效,适合用于高密度电源转换及对体积与温升敏感的电力电子应用中。

该碳化硅二极管采用独立式配置,额定正向电流IF为8A,最大反向重复电压VR为650V。其正向压降VF低至1.3V,有助于降低导通损耗;器件可承受64A的非重复浪涌正向电流(IFSM),具备良好的瞬态耐受能力。得益于碳化硅材料特性,该二极管在高频开关应用中表现出快速恢复和高效率,适用于对能效和热管理有较高要求的电源转换、整流及功率因数校正等电路。

该碳化硅二极管采用独立式配置,具备10A的正向电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR),在高负载条件下仍能保持稳定性能。其正向压降(VF)低至1.38V,有助于降低导通损耗,提升系统整体能效。器件利用碳化硅材料特性,具有优异的高频开关能力和高温工作稳定性,适用于高密度电源转换设计。广泛用于高效开关电源、可再生能源逆变系统及高功率密度DC-DC转换器中,满足对热性能和电气性能要求严苛的应用场景。

该碳化硅二极管采用独立式配置,具备10A的正向电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR),正向压降低至1.38V,表现出优异的导通性能与转换效率。其基于碳化硅材料的特性,具有快速开关速度和较低的反向恢复电荷,适用于高频率、高效率的电力转换场景。器件耐高温性能良好,有助于简化散热设计,常用于开关电源、光伏逆变系统及高压直流电源模块中,提升整体能效与系统可靠性。

该碳化硅二极管为独立式器件,具有8A的正向电流(IF)和650V的反向重复电压(VR),正向压降(VF)低至1.42V。基于碳化硅材料的优异特性,器件具备快速恢复能力和较低的开关损耗,适用于高频、高效率的电力转换电路。其良好的热导性能和耐高温特性,有助于提升系统在严苛工作条件下的稳定性,常用于高性能电源模块、可再生能源逆变系统及高密度电源设计中。

该碳化硅二极管采用独立式配置,具备8A的正向电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR),在高负载条件下可保持稳定性能。其正向压降(VF)典型值为1.42V,有助于降低导通损耗,提升系统能效。器件利用碳化硅材料特性,具有优异的开关速度和高温工作能力,适用于高频开关电源、高效直流-直流转换器及高密度电源模块等场景,可有效改善电路的热管理表现与整体效率。

该碳化硅二极管采用独立式结构,额定正向电流为6A,反向重复峰值电压为650V,正向压降典型值为1.3V,反向漏电流低至50μA,体现出优异的导通与阻断性能。其非重复浪涌正向电流能力达48A,适用于对效率和热性能要求较高的电源转换场合,如高频开关电源、可再生能源发电系统及紧凑型功率模块,在提升系统响应速度与能效的同时,保持稳定的电气特性。

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 5A 1200V VF:1.38V JSMSEMI SIC BSD

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 10A 650V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 5A 1200V VF:1.38V JSMSEMI SIC BSD

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 5A 1200V VF:1.38V JSMSEMI SIC BSD

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 5A 1200V VF:1.38V JSMSEMI SIC BSD

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 10A 650V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 10A 650V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 10A 650V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 10A 650V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

该碳化硅二极管为独立式配置,具有10A的额定正向电流(IF)和650V的最大反向重复电压(VR),典型正向压降(VF)为1.38V,可承受高达80A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)。基于碳化硅材料的特性,器件在高频开关条件下表现出较低的导通损耗和优异的热稳定性,适用于高效率电源转换、开关电源及功率因数校正等应用场合,有助于提升系统整体能效与可靠性。

特性:零反向恢复电流。 零正向恢复电压。 正向电压VF具有正温度系数。 温度无关的开关特性。 175°C工作结温。 用单极器件替代双极器件。应用:开关模式电源。 功率因数校正

该碳化硅二极管为单体结构,额定正向电流(IF)为8A,反向重复电压(VR)达650V,适用于中等功率电力转换电路。其正向导通压降(VF)低至1.38V,在高频开关条件下可显著降低导通损耗,提升整体能效。得益于碳化硅材料的高热导率与宽带隙特性,器件具备优异的高温工作稳定性与快速恢复性能。典型应用场景包括高效AC-DC/DC-DC电源模块、服务器电源系统、通信设备供电单元及可再生能源发电中的功率调节装置,适合对空间利用率和热管理有较高要求的设计。