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该碳化硅二极管采用独立式配置,额定正向电流(IF)为8A,最大反向重复电压(VR)为650V。其正向压降(VF)典型值为1.4V,在导通状态下表现出较低的导通损耗;器件可承受60A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM),具备良好的瞬态耐受能力。得益于碳化硅材料特性,该二极管在高频开关应用中展现出优异的动态性能和热稳定性,适用于对效率和响应速度有较高要求的电源转换与整流场景。

该碳化硅二极管采用独立式配置,额定正向电流为10A,反向重复峰值电压为650V,典型正向压降为1.37V,并能承受高达80A的非重复浪涌正向电流。得益于碳化硅材料的特性,器件在高频开关条件下展现出低导通损耗与快速恢复能力,适用于高效率、高功率密度的电源系统,如通信设备电源、服务器供电模块及各类开关电源中的整流应用,有助于提升系统整体能效与热管理性能。

该碳化硅二极管采用独立式配置,额定正向电流(IF)为8A,最大反向重复电压(VR)为650V,典型正向压降(VF)为1.4V,非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)达60A。其基于碳化硅材料的结构在高频工作条件下可显著降低开关损耗,并具备优异的热稳定性。适用于对效率、体积和动态性能有较高要求的电源转换系统,尤其适合用于高频率整流及同步续流等电路拓扑中。

该碳化硅二极管采用独立式配置,额定正向电流(IF)为8A,最大反向重复电压(VR)达650V,正向压降(VF)典型值为1.38V,在浪涌条件下可承受高达88A的非重复峰值正向电流(IFSM)。器件利用碳化硅材料特性,在高频及高温工作环境中展现出优异的开关性能与热稳定性,适用于对效率和功率密度有较高要求的电源转换系统。

该碳化硅二极管采用独立式配置,具备10A的正向电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR),在高负载条件下仍能保持稳定性能。其正向压降(VF)低至1.38V,有助于降低导通损耗,提升系统整体能效。基于碳化硅材料的特性,该器件支持更高的工作温度与开关频率,适用于高功率密度电源转换场景,如高效开关电源、太阳能逆变系统及高频率DC-DC转换器,可满足对热性能和电气性能要求严苛的应用需求。

这款碳化硅肖特基二极管采用TO-220-2L封装,具有650V高反向耐压和20A连续正向电流处理能力,其正向导通电压VF低至1.5V。专为高效能、大电流开关电源及逆变器设计,实现快速恢复与高温稳定性的理想整流解决方案。

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该碳化硅二极管采用独立式配置,额定正向电流(IF)为10A,最大反向重复峰值电压(VR)为650V,正向压降(VF)典型值为1.37V,展现出较低的导通损耗。器件可承受80A的非重复浪涌正向电流(IFSM),适用于对效率和热稳定性要求较高的电源系统。得益于碳化硅材料的特性,其在高频开关条件下仍能保持优异的性能,适合用于高功率密度的电力转换场合。

该碳化硅二极管采用独立式配置,额定正向电流为8A,反向重复峰值电压为650V,典型正向压降为1.38V,非重复峰值正向浪涌电流可达88A。器件利用碳化硅材料的高击穿电场和低导通损耗特性,在高频运行条件下仍能保持高效能表现,适用于对功率密度和热性能有较高要求的电源转换、开关电源及类似电子系统。

该碳化硅二极管采用独立式配置,具有10A的额定正向电流(IF)和650V的最大反向重复电压(VR),典型正向压降(VF)为1.37V,非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)可达80A。得益于碳化硅材料的物理特性,器件在高频开关条件下展现出较低的导通损耗与快速恢复性能,适用于高效率、高功率密度的电源转换场合,尤其在对热稳定性和动态响应有较高要求的电路拓扑中表现突出。

总电容电荷(Qc):44.5nC 总功率(Ptot):300W

碳化硅二极管650V60A

SiC Schottky; Vrrm=650V, If=20/40A@Tc=153°C, Vf=1.35V@20A,共阴极

该碳化硅二极管采用独立式配置,额定正向电流为15A,反向重复峰值电压达650V。其正向压降为1.5V,在高频率工作条件下仍能维持较低的导通损耗。器件可承受高达100A的非重复峰值正向浪涌电流,适用于高频整流、开关电源、功率因数校正以及对热稳定性和转换效率有较高要求的电力电子应用场合。

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 20A 1200V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 20A 1200V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 20A 1200V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 15A 1200V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

该碳化硅二极管采用独立式配置,额定正向电流(IF)为15A,最大反向重复电压(VR)为650V,典型正向压降(VF)为1.5V,并能承受高达100A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)。凭借碳化硅材料的固有优势,器件在高频工作条件下展现出较低的开关损耗与良好的热稳定性,适用于高效率电源转换系统,如开关电源、直流-直流变换器及功率因数校正等应用中的整流环节。

该款碳化硅二极管提供10安培的最大连续正向电流(IF/A),并具备高达1200伏特的反向重复电压(VR/V)。其正向电压(VF/V)为1.4伏特,在大电流通过时保持较低的能量损耗。反向漏电流(IR/uA)控制在150微安,确保了在无正向偏压时的良好隔离性。此外,该二极管支持最高46安培的正向浪涌电流(IFSM/A),适合用于需要处理瞬时电流峰值的电路设计中。其优异的性能使其成为高频开关电路及需提升效率与可靠性的电子装置的理想选择。