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该碳化硅二极管采用独立式配置,额定正向电流(IF)为8A,最大反向重复电压(VR)达650V,正向压降(VF)典型值为1.38V,在浪涌条件下可承受高达88A的非重复峰值正向电流(IFSM)。其基于碳化硅材料的特性,具备低导通损耗与优异的高频开关性能,适用于对效率和热管理要求较高的电源转换场景,如高频整流、开关电源及功率因数校正等电路拓扑中。

该碳化硅二极管为独立式配置,具有10A的额定正向电流和650V的反向重复峰值电压,典型正向压降低至1.37V,同时可承受高达80A的非重复浪涌正向电流。其材料特性支持在高频开关条件下保持较低的导通损耗与快速恢复性能,适用于高效率电源、开关模式电源系统以及对热稳定性和功率密度有较高要求的电力电子应用场合。

该碳化硅二极管采用独立式配置,具备15A的正向电流(IF)和1200V的反向耐压(VR),在高负载条件下仍能保持稳定性能。其正向导通压降(VF)典型值为1.5V,有助于降低导通损耗,提升系统整体能效。基于碳化硅材料特性,该器件支持高频开关操作,反向恢复时间极短,可有效减少能量损耗并改善热管理表现。适用于高密度电源转换设计,如高效开关电源、光伏逆变装置及高功率密度适配器等场景,能够在较宽温度范围内可靠运行,满足对小型化和高效率有要求的应用需求。

该碳化硅二极管采用独立式配置,额定正向电流(IF)为10A,反向重复峰值电压(VR)为650V,正向压降(VF)典型值为1.5V,反向漏电流(IR)为60μA,非重复浪涌正向电流(IFSM)可达90A。其低漏电流与较高浪涌能力相结合,适用于高频开关电源、功率因数校正电路及各类高效电能转换系统,在保障可靠运行的同时有助于降低导通损耗与热管理复杂度。

该碳化硅二极管为独立式结构,额定正向电流(IF)为10A,最大反向电压(VR)为650V,正向压降(VF)典型值为1.5V,反向漏电流(IR)仅为60μA,表现出优异的导通效率与关断特性。其非重复浪涌正向电流(IFSM)能力达90A,可在高频率开关环境中稳定运行。得益于碳化硅材料的物理特性,该器件在高温及高电压条件下仍能维持较低损耗,适用于高频电源、可再生能源转换系统以及对能效和热管理有较高要求的电子装置中的整流与续流功能。

该碳化硅二极管采用独立式配置,额定正向电流(IF)为10A,最大反向重复峰值电压(VR)为650V,正向压降(VF)典型值为1.5V,反向漏电流(IR)为60μA,展现出良好的导通特性和反向阻断能力。其非重复浪涌正向电流(IFSM)可达90A,适用于高频整流、开关电源及高效电能转换等应用场景,在提升系统效率的同时有助于简化热管理设计。

该碳化硅二极管采用独立式结构,额定正向电流(IF)为15A,最大反向重复电压(VR)达650V,正向压降(VF)典型值为1.5V,在浪涌条件下可承受高达100A的非重复峰值正向电流(IFSM)。凭借碳化硅材料的特性,器件在高频、高温环境下仍能保持稳定的电气性能,适用于对效率和响应速度要求较高的电源转换与功率控制场景。

该碳化硅二极管采用独立式结构,额定正向电流为10A,最大反向重复电压达650V。其正向压降典型值为1.5V,在高温或高频率工作条件下仍能保持较低导通损耗。反向漏电流仅为60μA,表现出优异的阻断特性。器件可承受高达90A的非重复峰值正向浪涌电流,适用于对效率和可靠性要求较高的电源转换场景,如高频整流、开关电源及功率因数校正等应用。

IFSM/A:29.5、VRRM/V:600、VF/V:1.58、碳化硅二极管、TO-247、最小包装量:600PCS

该碳化硅二极管采用独立式配置,额定正向电流(IF)为8A,最大反向电压(VR)达650V。其正向压降(VF)为1.38V,在导通状态下具有较低的功率损耗。器件可承受高达88A的非重复浪涌正向电流(IFSM),适用于高频开关电源、功率因数校正电路以及对效率和热性能要求较高的电力转换系统。

SiC Schottky; Vrrm=1200V,If=20/40A@Tc=157°C, Vf=1.4V@20A,共阴极

该碳化硅二极管采用独立式结构,额定正向电流(IF)为15A,最大反向重复峰值电压(VR)达650V,正向压降(VF)典型值为1.5V,具备优异的导通特性。器件可承受高达100A的非重复浪涌正向电流(IFSM),适用于对效率和热性能要求较高的高频开关场景。其碳化硅材料特性有效降低了开关损耗,提升了系统整体能效,在电源转换、高频整流等应用中展现出良好的动态响应与可靠性。

该碳化硅二极管采用独立式结构,额定正向电流(IF)为8A,最大反向重复峰值电压(VR)达650V,正向压降(VF)典型值为1.38V,在浪涌条件下可承受高达88A的非重复峰值正向电流(IFSM)。凭借碳化硅材料的特性,器件在高频、高温环境下表现出优异的稳定性和效率,适用于对开关性能和热管理要求较高的电源转换与电力电子系统。

这款碳化硅二极管专为高效能应用设计,提供20A的正向电流(IF)和650V的反向电压(VR)能力,确保在高压环境下的稳定操作。其正向电压(VF)低至1.35V,有效降低能耗,同时反向漏电流(IR)仅为10uA,进一步提高了能源效率。瞬态正向浪涌电流(IFSM)高达150A,赋予产品卓越的抗冲击能力。此二极管非常适合需要高可靠性和高性能的电源转换系统,如可再生能源解决方案及高效电力供应架构中。

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这款碳化硅二极管专为高效率电源转换设计,耐压650V,能承载30A稳定电流,其超低的正向压降仅1.3V,有助于减少能量损耗并提升系统整体性能。适合追求极致能效比的应用场景,是现代高效能电器及能源管理系统中的理想选择。

总电容电荷(Qc):155nC 总功率(Ptot):440W

3个长扁脚 20A 1200V 、SIC碳化硅肖特基管、TO-247、最小包装数量:30

特性:低正向电压。 可忽略的恢复时间/电流。 与温度无关的开关特性。应用:开关电源。 不间断电源

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