海量元器件型号，
快速搜索匹配。

该碳化硅二极管额定正向电流为2A,反向重复耐压达650V,适用于中高电压功率电路。其正向导通压降为1.3V,在同类器件中具有较低的导通损耗,有助于提高能量转换效率。反向漏电流典型值为2μA,表现出良好的关断特性和高温稳定性。基于碳化硅材料的优异性能,该器件具备快速恢复能力与较小的结电容,适合应用于高效开关电源、高密度AC-DC/DC-DC转换模块以及对热管理要求较高的电力电子设备中,可支持高频运行并降低散热设计复杂度。

SiC Schottky; Vrrm=1200V, If=2A@Tc=165°C,Vf=1.45V@2A

该碳化硅二极管采用独立式配置,具备4A的正向电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR),正向压降(VF)为1.53V。器件利用碳化硅材料特性,实现快速开关响应与高工作温度耐受能力,反向漏电流低,有助于提升系统转换效率并减少散热负担。其独立封装结构便于集成于各类高密度电源架构中,适用于对能效和功率密度要求较高的交流-直流与直流-直流转换场合,满足高频、高可靠性电力转换应用的技术需求。

SiC Schottky; Vrrm=650V, If=8A@Tc=160°C,Vf=1.3V@8A

该碳化硅二极管为独立式器件,具备6A的正向电流(IF)和650V的反向重复电压(VR),正向压降(VF)为1.68V。基于碳化硅半导体材料,该二极管具有优异的耐高温性能和快速开关特性,反向恢复电荷极低,可显著降低开关损耗。适用于高频率、高效率的电力转换电路,如高性能电源适配器、服务器电源模块、可再生能源逆变装置及储能系统中的整流与续流应用。其高可靠性和紧凑设计有助于提升系统功率密度与整体能效水平。

OBC充电机,化成电源,医疗电源,金牌PC电源,服务器电源,TV电源,充电桩,通讯电源,谐振方案,工控

这款碳化硅二极管具备2A的最大电流(IF)承受能力,最高可承受650V的反向电压(VR),同时拥有较低的正向电压(VF)1.3V,这有助于降低导通时的功耗。该二极管适用于需要高效能和低损耗特性的小型电子产品中,例如在高频开关电源、消费类电子产品中的电源管理模块或是其他要求严苛的便携式电子装置里,能够提供可靠的整流作用,并确保电路在高压下的稳定性。

SiC Schottky; Vrrm=650V, If=4A@Tc=160°C, Vf=1.3V@4A

碳化硅二极管产品,耐压:650V,电流:7A,Vf:1.38V@7A, Qc:32nC

该碳化硅二极管采用独立式配置,额定正向电流(IF)为4A,反向重复峰值电压(VR)为650V,典型正向压降(VF)为1.3V,并能承受高达36A的非重复浪涌正向电流(IFSM)。基于碳化硅材料的特性,器件在高频开关应用中展现出较低的导通损耗和优异的热稳定性,适用于高效率电源转换、开关电源及对体积与散热有较高要求的电力电子系统。其快速恢复能力有助于减少开关过程中的能量损耗,提升整体电路性能。

SiC Schottky; Vrrm=650V, If=10A@Tc=158°C,Vf=1.3V@10A

该碳化硅二极管采用独立式结构,额定正向电流(IF)为6A,反向重复峰值电压(VR)达650V,适用于中等功率的高效率电源系统。其正向压降(VF)低至1.36V,显著降低导通损耗,提升能量转换效率。基于碳化硅材料特性,器件具备快速反向恢复速度和优异的热导性能,支持高频开关操作。该二极管可在较高结温下稳定工作,适用于紧凑型电源设计。典型应用包括高效AC-DC电源适配器、DC-DC变换器、服务器电源模块及高密度功率因数校正电路等场景。

该碳化硅二极管采用独立式配置,额定正向电流为6A,最大反向重复电压达650V。其正向压降典型值为1.3V,在高温或高频率工作条件下仍能维持较低导通损耗。反向漏电流仅为50μA,表现出优异的阻断特性。器件可承受高达48A的非重复峰值正向浪涌电流,适用于对效率与可靠性要求较高的电源转换场合,如高频整流、开关电源及功率因数校正等应用。

该碳化硅二极管为独立式结构,具备2A的正向电流能力,反向重复峰值电压为650V,典型正向压降为1.53V。得益于碳化硅材料的物理特性,器件在高频工作条件下仍能保持较低的导通损耗和快速的反向恢复响应。适用于高效率电源、开关模式转换器及对热管理要求较高的电子系统中,有助于提升整体电路的能效与可靠性。

总电容电荷(Qc):23nC 总功率(Ptot):73W

该碳化硅二极管采用独立式配置,额定正向电流(IF)为4A,最大反向重复电压(VR)达650V,典型正向压降(VF)为1.53V,在浪涌条件下可承受高达32A的非重复峰值正向电流(IFSM)。凭借碳化硅材料的特性,器件在高频、高温环境下表现出较低的导通损耗与优异的开关性能,适用于对效率和热管理要求较高的电源转换系统。其电气参数组合使其在高密度功率模块及高效整流应用中具备良好的适配性。

该碳化硅二极管采用独立式配置,额定正向电流为8A,最大反向重复电压为650V,正向压降典型值低至1.3V,在瞬态条件下可承受高达64A的非重复峰值正向浪涌电流。其基于碳化硅材料的特性,在高频开关应用中展现出较低的导通与开关损耗,适用于高效率电源转换、功率因数校正及高频整流等电路拓扑。

该碳化硅二极管采用独立式结构,额定正向电流(IF)为2A,最大反向重复电压(VR)达650V,正向压降(VF)典型值为1.53V。得益于碳化硅材料的特性,器件在高频和高温环境下仍能保持优异的电气性能与稳定性,适用于对效率和热管理要求较高的电源转换场景。其低VF有助于降低导通损耗,提升系统整体能效,同时快速恢复特性可有效减少开关过程中的能量损耗。

这款碳化硅二极管具有4A的正向电流(IF)和650V的反向击穿电压(VR),能够在高功率密度设计中提供可靠的性能。其正向电压降(VF)仅为1.3V,在大电流工作条件下能有效降低功耗。反向漏电流(IR)控制在50微安,在非导通状态下确保了低功耗。瞬态正向浪涌电流(IFSM)可达36A,适用于需要承受短时电流峰值的应用环境。此二极管的特性使其成为需要高效能和稳定性的电路设计中的理想选择。

这款碳化硅二极管具有4A的正向电流(IF/A)和650V的反向电压(VR/V),能够在高压环境下稳定工作。其正向压降(VF/V)仅为1.3V,在保证性能的同时降低了能耗。该二极管的反向漏电流(IR/uA)控制在50微安以下,显示出良好的阻断特性。瞬态正向浪涌电流(IFSM/A)可达23A,适合于需要承受短时大电流冲击的应用场合。此元件凭借其出色的电气特性,适用于多种电路保护及高效能转换场景中。