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该碳化硅二极管采用独立式结构,额定正向电流为4A,最大反向重复峰值电压达650V,正向导通压降典型值为1.4V,具备优异的导通特性。器件可承受高达36A的非重复浪涌正向电流,适用于对效率和热性能要求较高的电源转换场景。其碳化硅材料特性有效降低了开关损耗与导通损耗,在高频运行条件下仍能保持稳定性能,适合用于各类高密度、高效率的电力电子系统中。

该碳化硅二极管采用独立式结构,具备6A的平均正向整流电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR),正向导通压降为1.36V,具有较低的导通损耗。基于碳化硅材料特性,器件表现出优异的高温稳定性、快速开关能力及极低的反向恢复电荷,适用于高频、高效率的电力转换应用。可广泛用于服务器电源、通信电源、光伏逆变模块及高密度DC-DC转换器中,有效提升系统能效并减小热管理设计压力。

该碳化硅二极管为独立式结构,额定正向电流(IF)为6A,最大反向重复电压(VR)达650V,典型正向压降(VF)为1.3V,反向漏电流(IR)仅为50μA,表现出优异的导通效率与阻断能力。其非重复浪涌正向电流(IFSM)为48A,适用于高频率、高效率要求的电源转换场合。凭借碳化硅材料特性,器件在开关过程中几乎无反向恢复电荷,有助于降低系统损耗并提升整体运行稳定性。

该碳化硅二极管采用独立式配置,额定正向电流(IF)为6A,最大反向重复峰值电压(VR)达650V,正向压降(VF)典型值为1.68V,在浪涌条件下可承受高达32A的非重复峰值正向电流(IFSM)。凭借碳化硅材料的特性,器件在高频、高温工作环境中展现出优异的稳定性和效率,适用于对开关性能和热管理要求较高的电源转换系统。其低导通损耗与快速恢复特性有助于提升整体电路能效与响应速度。

该碳化硅二极管为独立式配置,具有4A的额定正向电流和650V的反向重复峰值电压,正向导通压降典型值为1.53V,在瞬态条件下可承受高达32A的非重复浪涌正向电流。其结构利用碳化硅材料的物理特性,实现快速开关响应与较低的导通损耗,适用于高频电源转换、AC-DC整流及功率因数校正等电路拓扑中,有助于提升系统效率并简化热管理设计。

该碳化硅二极管为独立式配置,具有6A的额定正向电流和650V的反向重复峰值电压,正向导通压降典型值为1.3V,反向漏电流仅为50μA,在高电压应用中表现出低损耗特性。其非重复浪涌正向电流能力达48A,可承受短时大电流冲击。凭借碳化硅材料的物理优势,该器件在高频、高温环境下仍能维持稳定电气性能,适用于开关电源、光伏逆变器及各类高效电力转换系统中的整流与续流环节。

该碳化硅二极管采用独立式配置,额定正向电流(IF)为10A,最大反向重复电压(VR)为650V,正向压降(VF)典型值为1.5V,在导通状态下具有较低的功耗。其反向漏电流(IR)为60μA,表现出良好的阻断特性。器件可承受高达90A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM),适用于高频、高效率的电源转换场合,尤其在对热管理与空间布局有较高要求的电力电子系统中表现突出。

该碳化硅二极管采用独立式结构,额定正向电流为4A,最大反向重复电压达650V,正向导通压降典型值为1.53V,具备优异的导通性能。其非重复峰值正向浪涌电流能力为32A,可有效应对瞬态过载条件。器件利用碳化硅材料特性,在高频、高温环境下保持稳定工作,适用于对效率和可靠性要求较高的电源转换及电力电子系统中。

该碳化硅二极管为独立式结构,具有6A的正向电流能力,反向重复峰值电压为650V,正向导通压降典型值为1.3V,反向漏电流为50μA。器件可承受高达48A的非重复峰值正向浪涌电流,展现出良好的瞬态耐受能力。凭借碳化硅材料特性,其在高频工作条件下仍能保持较低的开关损耗和稳定的电气性能,适用于高效率、高频率的电源转换及电力电子应用场合。

该碳化硅二极管为独立式配置,具有6A的额定正向电流和650V的最大反向重复电压,正向导通压降典型值为1.68V,在瞬态条件下可承受高达32A的非重复峰值正向浪涌电流。凭借碳化硅材料的物理特性,器件在高频工作时表现出较低的开关损耗与良好的热稳定性,适用于高效率电源系统中的整流、续流以及功率转换环节。

该碳化硅二极管采用独立式配置,额定正向电流为4A,反向重复峰值电压为650V,正向导通压降典型值为1.3V,反向漏电流为50μA,非重复浪涌正向电流达36A。器件基于碳化硅材料,具备低导通损耗、高开关速度及优异的高温工作能力,适用于高频电源转换、功率因数校正以及对能效和热管理要求较高的电子系统中的整流与续流功能。

应用:服务器,工业电源,UPS电源,仪器仪表,大功率植物照明,太阳能逆变器,工商储能,电机驱动,充电桩,OBC,家电,医疗,远洋设备;

该碳化硅二极管采用独立式配置,具备8A的正向电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR),正向压降低至1.4V。其基于碳化硅材料的特性,具有优异的开关性能和高温工作能力,可有效降低系统功耗并提升能量转换效率。该器件适用于高频率、高效率的电源转换应用,如开关模式电源、光伏逆变系统及高密度电源模块,有助于减小外围元件尺寸并提升整体系统可靠性。

该碳化硅二极管采用独立式结构,额定正向电流为4A,最大反向重复电压为650V,正向导通压降典型值为1.3V,具有较低的导通损耗。其非重复峰值正向浪涌电流能力达36A,能够有效应对短时过载情况。得益于碳化硅材料的物理特性,器件在高频工作和较高结温条件下仍可维持稳定电气性能,适用于高效率电源、功率因数校正电路及对能效和热管理有严格要求的电力电子系统。

该款碳化硅二极管采用独立式配置,具备6A的正向电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR),正向压降低至1.32V,有助于减少导通损耗并提升系统整体能效。基于碳化硅材料的优异特性,该器件支持高频开关操作,反向恢复特性优异,可有效降低开关损耗,适用于高效率电源转换设计。其稳定的电气性能和高可靠性,使其广泛用于各类高性能电力电子装置中的整流、续流及能量回馈等电路环节。

该碳化硅二极管为独立式器件,额定正向电流(IF)为8A,反向重复峰值电压(VR)达650V,适用于中等功率的电力转换应用。其正向压降(VF)典型值为1.42V,具有较低的导通损耗,有助于提升系统能效。基于碳化硅材料的特性,该器件具备优异的高频开关性能和良好的热导率,反向恢复电荷小,可减少开关过程中的能量损耗。广泛应用于高效开关电源、可再生能源发电系统的逆变模块、储能设备中的整流电路以及对能效和功率密度要求较高的电力电子装置。

这款碳化硅二极管具备6A的正向电流承载能力(IF/A),并能承受高达650V的反向电压(VR/V)。其工作时产生的正向电压(VF/V)仅为1.3V,且在反向状态下,其漏电流(IR/uA)保持在50μA。该二极管还具有48A的瞬态正向浪涌电流处理能力(IFSM/A)。这些特性使其非常适合应用于要求高效率和可靠性的开关电路及能量转换系统中。

VRRM(V):650,IF (A):20,Qc:62nC,TO-220-2

该碳化硅二极管采用独立式配置,额定正向电流为6A,反向重复峰值电压为650V,正向压降典型值为1.3V,反向漏电流低至50μA,展现出优异的导通效率与阻断能力。其非重复峰值正向浪涌电流可达48A,适用于存在瞬态电流冲击的电路环境。基于碳化硅材料特性,器件在高频开关条件下仍保持较低损耗和良好热稳定性,常用于高效电源转换、可再生能源系统及各类对能效和体积有较高要求的电力电子应用中。

这款碳化硅二极管是高效能电源转换的优选,耐压650V稳定可靠,6A大电流承载满足更高功率需求。其卓越的1.3V低正向压降特性,确保了电力转换中的极高效率与低温运行,非常适合于要求严格的高性能电子系统。