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该碳化硅二极管采用独立式结构,额定正向电流(IF)为10A,最大反向重复电压(VR)达650V,正向压降(VF)典型值为1.37V,在浪涌条件下可承受高达80A的非重复峰值正向电流(IFSM)。其基于碳化硅材料特性,具备快速恢复、低开关损耗及优异的高温工作能力,适用于对效率和热管理要求较高的电源转换与高频整流场景。

该碳化硅二极管采用独立式配置,额定正向电流为8A,最大反向重复电压达650V,正向压降典型值为1.38V,在浪涌条件下可承受高达88A的非重复峰值正向电流。凭借碳化硅材料的特性,器件在高频、高温环境下仍能保持稳定的电气性能,适用于对效率和热管理要求较高的电源转换场景。其低导通损耗与快速恢复特性有助于提升系统整体能效与响应速度。

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该碳化硅二极管采用独立式配置,额定正向电流(IF)为6A,最大反向重复峰值电压(VR)为650V,典型正向压降(VF)为1.32V,非重复浪涌正向电流(IFSM)可达60A。器件利用碳化硅材料的高击穿电场与低导通损耗特性,在高频开关条件下仍能维持稳定性能,适用于对效率、体积及热管理有严苛要求的电源转换系统,如服务器电源、通信电源及可再生能源相关设备中的整流与续流路径。

该碳化硅二极管采用独立式配置,额定正向电流IF为4A,最大反向重复峰值电压VR为650V,典型正向压降VF为1.53V。器件可承受32A的非重复浪涌正向电流(IFSM),具备快速恢复特性和低开关损耗。由于碳化硅材料的固有优势,其在高频、高效率电源系统中表现优异,适用于对体积、温升和能效有严格要求的整流与续流应用场景。

该碳化硅二极管采用独立式结构,额定正向电流为4A,反向重复峰值电压为650V,典型正向导通压降为1.53V,非重复浪涌正向电流能力达32A。其基于碳化硅材料的特性,在高频开关应用中展现出较低的导通与开关损耗,并具备良好的热性能。适用于对效率、响应速度和可靠性有较高要求的电源转换、功率因数校正及各类紧凑型电力电子装置。

该碳化硅二极管采用独立式配置,额定正向电流(IF)为4A,最大反向重复电压(VR)达650V,正向压降(VF)典型值为1.53V,在浪涌条件下可承受高达32A的非重复峰值正向电流(IFSM)。凭借碳化硅材料的特性,器件在高频、高温环境下仍能保持稳定性能,适用于对效率和热管理要求较高的电源转换场合。其低导通损耗与快速恢复特性有助于提升系统整体能效与响应速度。

该碳化硅二极管采用独立式配置,额定正向电流IF为4A,最大反向重复电压VR为650V,正向压降VF典型值为1.53V,具备低导通损耗特性。器件可承受32A的非重复浪涌正向电流(IFSM),适用于高频开关电源、功率因数校正电路及各类高效能电能转换系统。其碳化硅材料特性带来优异的高温稳定性和快速开关响应,有助于提升整体电路效率与可靠性。

该碳化硅二极管采用独立式配置,额定正向电流(IF)为8A,最大反向重复电压(VR)为650V,正向压降(VF)典型值为1.38V,具备较低的导通损耗。器件可承受88A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM),适用于高频、高效率的电源转换与整流应用。得益于碳化硅材料特性,其开关速度快、反向恢复电荷几乎为零,有助于减小系统体积并提升整体能效。

该碳化硅二极管采用独立式配置,额定正向电流(IF)为10A,最大反向重复电压(VR)达650V,正向压降(VF)典型值为1.38V,在浪涌条件下可承受高达80A的非重复峰值正向电流(IFSM)。其低导通压降与高耐压特性相结合,适用于对效率和开关性能要求较高的电源转换场合,尤其在高频运行环境中能有效降低损耗,提升系统整体能效。

该碳化硅二极管采用独立式配置,额定正向电流(IF)为6A,最大反向重复电压(VR)为650V,正向压降(VF)典型值为1.68V,非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)可达32A。器件利用碳化硅材料的高击穿电场与热导率优势,在高频开关和高温运行条件下保持稳定性能,适用于对效率、体积和热管理有较高要求的电源转换系统,如服务器电源、通信设备及可再生能源相关电路。

该碳化硅二极管采用独立式配置,额定正向电流(IF)为10A,最大反向电压(VR)为650V,典型正向压降(VF)为1.37V,非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)可达80A。器件利用碳化硅材料的物理特性,在高频工作条件下保持较低的导通损耗和快速的反向恢复响应,适用于高效率、高功率密度的电源转换系统,如服务器电源、通信电源及可再生能源相关的电力变换装置。

该碳化硅二极管为独立式配置,具有10A的额定正向电流(IF)和650V的最大反向重复峰值电压(VR),其典型正向压降(VF)为1.37V,在非重复条件下可承受高达80A的浪涌正向电流(IFSM)。器件利用碳化硅材料的高热导率与低开关损耗特性,适用于高频开关电源、功率因数校正电路及对效率和热性能有较高要求的电能转换系统。

8A 650V 、SIC碳化硅肖特基管、TO-252、最小包装数量:2500

该碳化硅二极管采用独立式结构,额定正向电流为10A,最大反向重复电压达650V。其正向压降典型值为1.5V,在高温或高频率工作条件下仍能维持较低的导通损耗。反向漏电流仅为60μA,表现出优异的阻断特性。器件可承受高达90A的非重复峰值正向浪涌电流,适用于对效率和可靠性要求较高的电源转换场合,如高频开关电源、功率因数校正电路及各类紧凑型电力电子系统。

该碳化硅二极管采用独立式配置,额定正向电流为10A,最大反向重复电压为650V,正向导通压降典型值为1.5V,在25°C时反向漏电流仅为60μA。器件可承受高达90A的非重复峰值正向浪涌电流,适用于高频、高效率的电源转换系统。其材料特性有助于降低开关损耗并提升热稳定性,适合对体积与能效有较高要求的应用场合。

该碳化硅二极管为独立式配置,额定正向电流(IF)为10A,最大反向重复电压(VR)达650V,正向压降(VF)为1.5V,反向漏电流(IR)低至60μA。器件可承受90A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM),展现出良好的瞬态耐受能力。其材料特性支持高频工作,适用于对效率和热性能有较高要求的电源转换及功率因数校正等应用场景。

该碳化硅二极管采用独立式配置,额定正向电流(IF)为10A,最大反向重复电压(VR)达650V,正向压降(VF)典型值为1.5V,反向漏电流(IR)为60μA。器件可承受90A的非重复浪涌正向电流(IFSM),凭借碳化硅材料特性,具备快速开关响应与低反向恢复电荷优势,适用于高频整流、开关电源及对效率和热性能要求较高的电力电子应用场合。

这款碳化硅二极管具有10安培的正向电流(IF/A),能够承受最高达1200伏特的反向电压(VR/V)。其正向电压降(VF/V)仅为1.35伏特,在高电流应用中能有效减少能量损失。二极管的反向漏电流(IR/uA)在室温下测得为250微安,显示出良好的阻断性能。瞬态条件下的最大正向浪涌电流(IFSM/A)为71安培,适用于需要短时间承受大电流冲击的应用场合。此元件凭借其出色的电气特性,适用于高频开关电源、逆变器以及其他需要高效能、高可靠性的电子产品中。

该碳化硅二极管采用独立式结构,额定正向电流为8A,最大反向重复峰值电压达650V,正向导通压降典型值为1.38V,具备优异的导通特性。其非重复浪涌正向电流能力高达88A,可有效应对瞬态过流工况。器件利用碳化硅材料的高热导率与低开关损耗优势,在高频、高温环境下保持稳定性能,适用于对效率和可靠性要求较高的电源转换及功率因数校正等应用场景。