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该碳化硅二极管采用独立式配置,额定正向电流(IF)为15A,最大反向重复电压(VR)为650V,正向压降(VF)典型值为1.5V,具备低导通损耗特性。其非重复浪涌正向电流(IFSM)达100A,可在瞬态过载条件下保持稳定工作。得益于碳化硅材料的优异性能,该器件具有快速开关响应和高效率表现,适用于高频电源转换、开关电源及各类高效整流场合。

该碳化硅二极管采用独立式结构,额定正向电流(IF)为8A,反向重复电压(VR)达650V,适用于中高电压功率转换应用。其正向导通压降(VF)为1.4V,具备较低的导通损耗,有助于提升系统能效。基于碳化硅材料的特性,器件具有优异的高温工作能力和快速开关性能,可支持高频运行。独立封装设计便于电路集成与热管理,适用于高效率开关电源、储能系统、通信电源及可再生能源发电设备中的整流与续流环节,满足对功率密度、转换效率和长期稳定性有较高要求的电力电子场景。

该碳化硅二极管采用独立式配置,额定正向电流为4A,最大反向重复峰值电压达650V,正向压降为1.53V。其非重复浪涌正向电流能力为32A,能够承受短时过载条件下的电流冲击。基于碳化硅材料的特性,器件在高频工作状态下仍保持较低的开关损耗和良好的热稳定性,适用于对体积、效率及动态响应有较高要求的电源转换与电力电子系统。

该碳化硅二极管采用独立式配置,额定正向电流为8A,最大反向重复峰值电压达650V,典型正向压降为1.38V,在浪涌条件下可承受高达88A的非重复峰值正向电流。其基于碳化硅材料特性,具备低导通损耗与优异的高频开关性能,适用于对效率和热管理要求较高的电源转换场景,如服务器电源、通信电源及高密度开关电源等应用中,能有效提升系统整体能效与功率密度。

该碳化硅二极管采用独立式配置,额定正向电流为6A,最大反向重复电压为650V,典型正向压降为1.68V,在导通状态下保持较低功耗。器件可承受高达32A的非重复峰值正向浪涌电流,展现出良好的瞬态耐受能力。凭借碳化硅材料的特性,其在高频工作条件下仍能维持稳定的电气性能,适用于高效率电源转换、开关模式电源及对体积与热管理有较高要求的电力电子系统中。

该碳化硅二极管为独立式配置,额定正向电流(IF)为4A,最大反向重复电压(VR)为650V,典型正向压降(VF)为1.3V,在瞬态条件下可承受高达36A的非重复峰值正向电流(IFSM)。凭借碳化硅材料的固有优势,器件展现出快速开关特性与较低导通损耗,适用于高效率、高频率的电源整流及能量转换系统。

该碳化硅二极管采用独立式结构,额定正向电流为6A,最大反向重复电压达650V,正向压降典型值为1.68V,在浪涌条件下可承受高达32A的非重复峰值正向电流。其基于碳化硅材料特性,具备低导通损耗与优异的高频开关性能,适用于对效率和热管理要求较高的电源转换场景,如高频整流、开关电源及功率因数校正等应用。

该碳化硅二极管采用独立式配置,额定正向电流(IF)为10A,最大反向重复电压(VR)为650V,正向压降(VF)典型值为1.38V,非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)可达80A。基于碳化硅材料的特性,器件在高频工作条件下展现出低导通损耗与快速开关响应,适用于对能效和热性能要求较高的电源转换场合,如数据中心供电、通信电源及可再生能源系统中的整流与续流路径。

该碳化硅二极管采用独立式配置,额定正向电流为8A,反向重复峰值电压达650V,正向压降典型值为1.38V,具备较低的导通损耗。其最大正向浪涌电流能力为88A,适用于高频、高效率的电源转换系统。得益于碳化硅材料特性,器件在高频开关过程中表现出优异的动态性能和热稳定性,适合用于对体积与能效有严苛要求的电力电子应用中。

特性:1700V 肖特基整流器。 零反向恢复电流。 高频操作。 与温度无关的开关特性。 极快的开关速度。应用:开关电源 (SMPS)。 功率因数校正

特性:零反向恢复电流。 零正向恢复电压。 正向电压VF具有正温度系数。 温度无关的开关特性。 175°C工作结温。 用单极器件替代双极器件。应用:开关模式电源。 功率因数校正

这款碳化硅肖特基二极管采用TO-247-2L封装,具有1200V高反向耐压和10A连续正向电流承载能力,其正向导通电压VF为1.5V。专为高效能、高压电力转换系统设计,如新能源汽车充电器及工业级电源设备,提供卓越的高温稳定性和快速恢复整流效能。

该碳化硅二极管采用独立式配置,额定正向电流为15A,最大反向重复峰值电压为650V,典型正向压降为1.5V,非重复峰值正向浪涌电流可达100A。凭借碳化硅材料的特性,器件在高频工作条件下仍保持较低的导通损耗和快速的反向恢复性能,适用于高效率、高功率密度的电源系统,如通信设备电源、数据中心供电模块及可再生能源转换装置等场合。

该碳化硅二极管采用独立式配置,额定正向电流为4A,反向重复峰值电压达650V,正向导通压降为1.53V。器件可承受32A的非重复浪涌正向电流,具备良好的瞬态过载能力。其结构利用碳化硅材料特性,在高频工作条件下有效降低开关损耗,适用于对效率、热性能及功率密度有较高要求的电源转换、直流-直流变换及功率因数校正等电路应用。

该碳化硅二极管采用独立式配置,额定正向电流(IF)为10A,反向重复峰值电压(VR)为650V,正向压降(VF)典型值为1.3V,反向漏电流(IR)为50μA,非重复浪涌正向电流(IFSM)可达80A。器件利用碳化硅材料的物理特性,在高频工作条件下保持较低的导通损耗和优异的热稳定性,适用于高效率电源转换、开关模式电源及对体积与散热有较高要求的电力电子应用。

该碳化硅二极管采用独立式配置,额定正向电流为10A,反向重复峰值电压达650V,正向压降典型值为1.5V,反向漏电流仅为60μA,具备优异的导通与阻断特性。其最大正向浪涌电流能力为90A,适用于对效率和热性能要求较高的高频电源转换场景。器件凭借碳化硅材料优势,在高开关频率下仍能保持较低损耗,适合用于各类高效、紧凑型电力电子系统中。

此款碳化硅二极管具备12安培的正向电流(IF/A),可承受高达650伏特的反向电压(VR/V)。其正向电压(VF/V)为1.3伏特,在确保高效能的同时降低了功耗。反向漏电流(IR/uA)为50微安,体现了优异的绝缘特性。该二极管支持高达90安培的峰值瞬态电流(IFSM/A),适用于需要快速开关及稳定整流性能的应用场合,能有效提升系统的整体效率与可靠性。

该碳化硅二极管采用独立式配置,额定正向电流(IF)为10A,最大反向重复电压(VR)达650V,正向压降(VF)典型值为1.38V,在浪涌条件下可承受高达80A的非重复峰值正向电流(IFSM)。凭借碳化硅材料的特性,器件在高频、高温环境下表现出优异的稳定性和效率,适用于对开关性能和热管理要求较高的电源转换场景。其低导通损耗与快速恢复特性有助于提升整体系统能效与响应速度。

该碳化硅二极管采用独立式结构,具备10A的正向平均电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR),适用于中高功率密度的电源转换设计。其正向压降(VF)为1.37V,导通损耗较低,有助于提升系统能效。基于碳化硅材料特性,该器件具有优异的高温稳定性与快速反向恢复能力,支持高频开关操作。典型应用场景包括高效开关电源、通信电源、可再生能源逆变装置、高压直流配电模块及储能系统的功率转换电路,有助于减小磁性元件体积并提高整体电源效率。

该碳化硅二极管采用独立式结构,额定正向电流为4A,最大反向重复电压达650V,正向导通压降典型值为1.53V,在浪涌条件下可承受高达32A的非重复峰值正向电流。其基于碳化硅材料特性,具备快速恢复与低开关损耗的优势,适用于对效率和热性能要求较高的电源转换场景,如高频整流、开关电源及功率因数校正等电路中,能有效提升系统整体能效与可靠性。