海量元器件型号，
快速搜索匹配。

此款碳化硅二极管具备10A的正向电流(IF/A)承载能力,同时支持最高达1200V的反向电压(VR/V)。其正向电压(VF/V)为1.4V,表明在导通状态下能有效减少电力损耗。该二极管的反向恢复电流(IR/uA)为150μA,确保了在非导通状态下的低漏电特性。瞬态正向峰值电流(IFSM/A)可以达到46A,使其适合应用于要求高效能与快速响应的电路设计中,例如在精密仪器或消费电子产品中的电源管理模块,能够显著提升系统的整体性能与稳定性。

该碳化硅二极管为独立式配置,具有10A的额定正向电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR),正向压降(VF)为1.5V,反向漏电流(IR)典型值为60μA,在瞬态条件下可承受高达90A的非重复浪涌正向电流(IFSM)。其特性适合用于高效率电源转换系统,在高频工作环境下有助于降低开关损耗并维持稳定的电气性能。

该碳化硅二极管为独立式结构,额定正向电流(IF)为10A,最大反向重复峰值电压(VR)达650V。其正向压降(VF)为1.5V,在导通状态下的能量损耗较低;反向漏电流(IR)仅为60μA,表现出良好的阻断能力。器件可承受高达90A的非重复浪涌正向电流(IFSM),适用于高频开关电源、功率因数校正电路及各类高效率电能转换系统,在高温或高频率工作条件下仍能维持稳定电气特性。

该碳化硅二极管采用独立式配置,额定正向电流(IF)为10A,最大反向重复电压(VR)达650V,正向压降(VF)典型值为1.37V,在浪涌条件下可承受高达80A的非重复峰值正向电流(IFSM)。凭借碳化硅材料的特性,器件在高频、高温环境下仍能保持优异的开关性能与稳定性,适用于对效率和热管理要求较高的电源转换系统。其低导通损耗与快速恢复特性有助于提升整体电路效率并简化散热设计。

该碳化硅二极管采用独立式配置,额定正向电流(IF)为6A,反向重复峰值电压(VR)达650V,正向压降(VF)为1.68V,非重复浪涌正向电流(IFSM)为32A。器件在高频工作条件下展现出较低的导通损耗和良好的动态特性,适用于对体积与效率有较高要求的电源系统,如服务器电源、通信电源及可再生能源转换设备中的整流与续流功能。

该碳化硅二极管采用独立式配置,额定正向电流(IF)为8A,最大反向重复峰值电压(VR)达650V,正向压降(VF)典型值为1.38V,在浪涌条件下可承受高达88A的非重复峰值正向电流(IFSM)。其基于碳化硅材料特性,具备低导通损耗与优异的高频开关性能,适用于对效率和热管理要求较高的电源转换场合。器件结构设计支持稳定可靠的运行表现,适合集成于高密度电力电子系统中。

该碳化硅二极管采用独立式结构,额定正向电流为8A,最大反向重复峰值电压达650V,正向导通压降典型值为1.38V,具备优异的导通特性。其非重复浪涌正向电流能力高达88A,可有效应对瞬态过载条件。器件基于碳化硅材料,具有低开关损耗与高热稳定性,在高频、高效率电源转换场景中表现突出,适用于对能效和可靠性要求较高的电力电子系统。

该碳化硅二极管采用独立式结构,额定正向电流(IF)为10A,最大反向重复电压(VR)达650V,正向压降(VF)典型值为1.5V,反向漏电流(IR)低至60μA,具备优异的导通与阻断特性。其非重复浪涌正向电流(IFSM)可达90A,适用于对效率和热性能要求较高的高频电源转换场景,如开关电源、光伏逆变器及高密度电力电子系统,能够有效降低开关损耗并提升整体能效。

该碳化硅二极管采用独立式结构,额定正向电流(IF)为10A,最大反向重复电压(VR)达650V。其正向压降(VF)典型值为1.5V,在25°C条件下反向漏电流(IR)不超过60μA,具备优异的导通与阻断特性。器件可承受高达90A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM),适用于对效率和热性能要求较高的电源转换场景,能在高频工作条件下保持较低的开关损耗与稳定运行。

该碳化硅二极管采用独立式配置,额定正向电流为10A,最大反向重复电压达650V,正向导通压降典型值为1.37V。凭借碳化硅材料的固有优势,器件在高频工作条件下展现出较低的导通损耗和优异的热性能,适用于对效率和紧凑布局有较高要求的电源转换系统。其电气特性有助于提升整体电路的能效与稳定性。

这款碳化硅肖特基二极管采用TO-247-2L封装,具有1200V高反向耐压和15A大电流能力,其正向导通电压VF为1.5V。特别适用于新能源、工业电源转换及电动汽车充电领域,提供高效能、低损耗及卓越高温稳定性,实现快速整流响应。

这款碳化硅肖特基二极管采用TO-247封装,具有1200V高反向耐压和高达10A的连续正向电流能力,其正向导通电压VF低至1.4V。专为高效、高压环境设计,应用于电力转换器、新能源汽车充电系统以及工业级电源设备中,实现快速恢复与低损耗的高性能整流功能。

该碳化硅二极管采用独立式配置,额定正向电流(IF)为8A,反向重复峰值电压(VR)为650V。其正向压降(VF)为1.4V,有助于降低导通损耗;器件可承受60A的非重复浪涌正向电流(IFSM),具备良好的瞬态耐受能力。适用于高频开关电源、功率因数校正模块及高效率电能转换系统,在高温或高频率运行环境中仍能保持稳定的电气性能。

该碳化硅二极管采用独立式配置,额定正向电流(IF)为6A,最大反向重复峰值电压(VR)达650V,正向压降(VF)典型值为1.36V,在浪涌条件下可承受高达66A的非重复峰值正向电流(IFSM)。凭借碳化硅材料的特性,器件在高频、高温环境下表现出较低的导通损耗与优异的开关性能,适用于对效率和热管理有较高要求的电源转换场合。其电气参数组合使其在紧凑型高功率密度设计中具备良好的适配性。

整流电流IF(AV): 30A@TC=150°C 反向电压VRRM: 1200V 正向压降VF: 1.8V@30A 反向电流IR: 200uA 结温TJ:-55~+175°C

公开页面暂无产品说明。

该碳化硅二极管采用独立式配置,额定正向电流(IF)为6A,最大反向重复峰值电压(VR)为650V,典型正向压降(VF)为1.68V,可承受32A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)。其基于碳化硅材料的结构支持高频工作,并具备快速恢复特性与较低的开关损耗,适用于高效率电源转换、开关电源及对热性能和空间布局敏感的电力电子应用。

该碳化硅二极管采用独立式结构,额定正向电流为10A,反向重复峰值电压达650V,正向导通压降典型值为1.3V,反向漏电流仅为50μA,具备优异的开关特性与能效表现。其最大非重复浪涌正向电流可达80A,适用于对高频、高效率及高可靠性有明确需求的电源转换场景,可在紧凑型电源模块、高频整流单元及各类高效电能处理系统中发挥稳定性能。

碳化硅SiC

该碳化硅二极管采用独立式配置,额定正向电流(IF)为8A,反向重复峰值电压(VR)为650V,适用于中高功率的电力电子应用。其正向压降(VF)典型值为1.38V,在导通状态下的功耗较低;同时具备88A的非重复浪涌正向电流(IFSM)能力,可有效应对瞬态过流条件。得益于碳化硅材料的特性,器件在高频运行和较高结温环境下仍能保持稳定的电气性能,适合用于对效率、热管理和动态响应有明确要求的电源系统。