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该碳化硅二极管采用独立式配置,额定正向电流(IF)为8A,最大反向重复电压(VR)为650V,正向压降(VF)典型值为1.38V,具备优异的导通效率。在瞬态过载条件下,器件可承受高达88A的非重复峰值正向电流(IFSM)。其低VF值与碳化硅材料的高热导率相结合,有助于降低功耗并提升系统在高频开关应用中的整体性能,适用于对体积、效率及热稳定性有较高要求的电源转换场景。

该碳化硅二极管采用独立式配置,额定正向电流为8A,最大反向重复电压为650V,典型正向压降低至1.38V,具备优异的导通效率。器件可承受高达88A的非重复峰值正向浪涌电流,展现出良好的瞬态耐受能力。基于碳化硅材料的特性,其开关速度快、反向恢复电荷极小,适用于高频电源转换、高效率整流以及对热管理要求严苛的电力电子应用场合。

该碳化硅二极管采用独立式配置,额定正向电流IF为10A,最大反向重复电压VR为650V,正向压降VF典型值为1.3V,反向漏电流IR为50μA。器件可承受高达80A的非重复浪涌正向电流(IFSM),适用于高频开关电源、功率因数校正模块及高效电能转换系统。凭借碳化硅材料的特性,其在高温和高频率工作条件下仍能保持稳定的电气性能与较低的能量损耗。

ThinQ!TM 第五代代表了碳化硅肖特基势垒二极管的前沿技术。英飞凌专有的扩散焊接工艺,在第三代中就已引入,现在与全新、更紧凑的设计和薄晶圆技术相结合。这造就了一个新产品系列,在所有负载条件下都能提高效率,这得益于其改善的热特性和更低的品质因数(Qc x Vf)。新的 ThinQ!TM 第五代产品旨在补充我们的 650V CoolMOS 系列产品,确保满足该电压范围内最严格的应用要求。

该碳化硅二极管采用独立式结构,额定正向电流为30A,反向重复峰值电压达650V,适用于较高功率密度的电源系统。其正向导通压降为1.4V,在高负载条件下具备良好的电能转换效率,有助于降低导通损耗。基于碳化硅材料特性,器件具备优异的反向恢复能力,支持高频开关工作模式,减少开关过程中的能量损耗。适用于高效开关电源、通信电源模块、可再生能源发电系统及高可靠性直流变换装置,满足对热性能和长期运行稳定性要求较高的技术应用环境。

该碳化硅二极管采用独立式配置,额定正向电流(IF)为10A,最大反向重复电压(VR)达650V,正向压降(VF)典型值为1.37V,在浪涌条件下可承受高达80A的非重复峰值正向电流(IFSM)。其基于碳化硅材料的特性,具备优异的高频性能与热稳定性,适用于对效率和响应速度有较高要求的电源转换、高频整流及高密度电力电子系统中。

碳化硅二极管

该碳化硅二极管采用独立式配置,额定正向电流(IF)为8A,最大反向重复峰值电压(VR)达650V,正向压降(VF)典型值为1.38V,在浪涌条件下可承受高达88A的非重复峰值正向电流(IFSM)。其基于碳化硅材料特性,具备低导通损耗与优异的高频开关性能,适用于对效率和热管理要求较高的电源转换场景。器件结构设计支持快速恢复特性,有助于降低系统整体能耗并提升运行稳定性。

该碳化硅二极管采用独立式结构,额定正向电流为8A,最大反向重复电压达650V,正向压降典型值为1.38V,在浪涌条件下可承受高达88A的非重复峰值正向电流。凭借碳化硅材料的特性,器件在高频、高温环境下表现出较低的导通损耗与优异的开关性能,适用于对效率和热管理要求较高的电源转换场景。其电气参数组合使其在紧凑型高功率密度设计中具备良好的适配性。

该碳化硅二极管采用独立式结构,额定正向电流(IF)为10A,最大反向重复峰值电压(VR)达650V,正向压降(VF)典型值为1.5V,反向漏电流(IR)为60μA,展现出良好的导通与阻断性能。器件可承受高达90A的非重复浪涌正向电流(IFSM),适用于高频开关电源、功率因数校正及各类高效整流应用,其低VF与低IR特性有助于减少能量损耗并提升系统稳定性。

该碳化硅二极管采用独立式结构,额定正向电流为10A,最大反向重复电压达650V。其正向压降典型值为1.3V,在高温或高频率工作条件下仍能保持较低的导通损耗。反向漏电流仅为50μA,体现出优异的阻断特性。器件可承受高达80A的非重复峰值正向浪涌电流,适用于对效率和可靠性要求较高的电源转换场景,如高频开关电源、功率因数校正电路及各类高效能电能变换系统。

该碳化硅二极管采用独立式配置,额定正向电流(IF)为8A,最大反向重复电压(VR)达650V,正向压降(VF)典型值为1.38V,具备优异的导通特性。器件可承受高达88A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM),适用于对效率和热性能要求较高的电源转换场景。其碳化硅材料特性带来更低的开关损耗与更高的工作温度耐受能力,在高频、高功率密度的电力电子系统中展现出稳定可靠的运行表现。

该碳化硅二极管采用独立式结构,额定正向电流(IF)为8A,最大反向重复电压(VR)达650V。其正向压降(VF)为1.38V,在导通状态下具备较低的功率损耗;器件可承受88A的非重复浪涌正向电流(IFSM),展现出良好的过载能力。得益于碳化硅材料特性,该二极管适用于高频、高效率的电源转换系统,尤其在对开关速度和热性能有较高要求的整流与续流应用中表现稳定可靠。

该碳化硅二极管采用独立式配置,额定正向电流(IF)为8A,最大反向重复电压(VR)为650V,典型正向压降(VF)为1.38V,具备较低的导通损耗。其非重复浪涌正向电流(IFSM)可达88A,展现出良好的瞬态电流承受能力。得益于碳化硅材料特性,该器件在高频开关应用中表现出优异的效率与热稳定性,适用于高频率电源转换、开关模式电源及各类对能效和体积有较高要求的电力电子系统。

VRRM(V):1200,IF (A):40,Qc:210nC,TO-247-2

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这款高性能碳化硅二极管,电压等级1200V,能承受10A大电流,而正向压降控制在1.4V,展示出优越的电能转换效率与可靠性。特别适合于高功率密度和要求严苛的电源系统,是提升系统效率、减小能耗的优选方案。

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该碳化硅二极管采用独立式配置,额定正向电流为12A,反向重复峰值电压为650V,正向导通压降典型值为1.3V,反向漏电流为50μA,表现出优异的导通效率与低漏电特性。其非重复浪涌正向电流能力达90A,具备良好的瞬态耐受能力。基于碳化硅材料的特性,该器件在高频开关应用中可显著降低损耗,适用于对效率、稳定性和热性能有较高要求的电源转换系统。