海量元器件型号，
快速搜索匹配。

这款碳化硅肖特基二极管采用TO-247封装,提供1200V高反向耐压及30A连续正向电流能力,其正向导通电压VF为1.5V。专为高压、大电流应用设计,如电源转换器、新能源汽车充电系统和工业逆变器,实现高效能、高速度和高可靠性整流。

整流电流IF(AV): 10A@TC=150°C 反向电压VRRM: 1700V 正向压降VF: 1.7V@10A 反向电流IR: 18uA 结温TJ:-55~+175°C

特性:1700 伏肖特基整流器。 零反向恢复电流。 零正向恢复电压。 高频操作。 与温度无关的开关特性。 极快的开关速度。 无卤;符合 RoHS 标准

该碳化硅二极管具备高效能特性,其正向平均电流IF为20A,反向耐压VR达到650V,确保在高电压环境下稳定工作。正向电压降VF仅为1.5V,有助于降低功耗和提高系统效率。此外,该二极管的反向漏电流IR控制在100μA以内,非重复峰值浪涌电流IFSM高达123A,增强了过载保护能力。适用于要求严苛、需要高性能半导体解决方案的多种场景。

这款1200V碳化硅二极管,电流承载能力达10A,正向压降仅为1.4V,集高电压、大电流与低损耗特性于一身。它适合于高要求的电源转换与管理领域,能显著提升系统效率和长期运行的稳定性,是现代高效电子系统的关键组件。

公开页面暂无产品说明。

碳化硅二极管2000V5A

公开页面暂无产品说明。

特性:碳化硅肖特基二极管。 零反向恢复。 零正向恢复。 与温度无关的开关特性。 VF正温度系数。 极低的杂散电感。应用:焊接设备。 不间断电源(UPS)

VRRM(V):650,IF (A):6,Qc:21nC,TO-220-2

VRRM(V):650,IF (A):8,Qc:28nC,TO-220-2

VRRM(V):650,IF (A):10,Qc:34nC,TO-252-2

VRRM(V):650,IF (A):10,Qc:34nC,TO-220F-2

VRRM(V):650,IF (A):10,Qc:34nC,TO-220-2

该碳化硅二极管为单体结构,额定正向电流(IF)为6A,反向重复峰值电压(VR)达650V,正向导通压降(VF)为1.36V。基于碳化硅半导体材料,具备优异的高温工作能力与极低的反向恢复电荷,可实现高速开关操作。适用于高效率开关电源、DC-AC逆变装置、DC-DC变换电路及高密度电源模块,尤其适合对热性能与能效要求较高的紧凑型电力转换系统,有助于减少能量损耗并提升系统整体响应特性与稳定性。

整流电流IF(AV): 6A@TC=150°C 反向电压VRRM: 650V 正向压降VF: 1.6V@6A 反向电流IR: 30uA 结温TJ:-55~+175°C

公开页面暂无产品说明。

ASZD006065A是原型号的迭代升级,商品编码C50132440

整流电流IF(AV): 8A@TC=150°C 反向电压VRRM: 650V 正向压降VF: 1.8V@8A 反向电流IR: 20uA 结温TJ:-55~+175°C

这款碳化硅二极管具备出色的电气特性,其最大整流电流IF/A达到10A,在反向电压VR/V高达650V的情况下,正向电压降VF/V仅为1.5V,表明其能量损耗较低。反向漏电流IR/uA控制在60微安以下,显示了良好的阻断能力。瞬态峰值电流IFSM/A可达到90A,适用于高频开关及需快速响应的应用场景中,能有效提升电路效率并减少热损耗。此款二极管凭借其优异性能,适用于各种对效率与稳定性有要求的场合。