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该碳化硅二极管为独立式器件,具备6A的正向平均电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR),适用于中高压功率转换环境。其正向导通压降(VF)典型值为1.36V,显著低于传统硅基二极管,可有效减少导通损耗,提升系统能效。基于碳化硅材料的特性,该器件具有优异的高温工作性能和快速反向恢复能力,支持高频开关应用。常用于高效率电源模块、通信电源、可再生能源逆变系统及紧凑型适配器等对热管理与电气性能有严苛要求的电子设备中。

该碳化硅二极管采用独立式结构,额定正向电流(IF)为4A,反向重复峰值电压(VR)达650V,适用于中等功率电力转换应用。其正向导通压降(VF)为1.4V,具备较低的导通损耗,有助于提升系统能效。得益于碳化硅材料特性,器件具有快速开关速度、低反向恢复电荷及良好的高温工作性能。常用于高效电源适配器、不间断电源系统、通信电源模块以及可再生能源发电设备中的整流与防反接电路,适合在高频、高效率拓扑结构中实现紧凑化设计与可靠运行。

VRRM(V):650,IF (A):20,Qc:52nC,TO-263-2

特征:反向电压 650V、正向电流 4A、正向压降≤1.65V@4A、结温-55~175°C,零反向恢复电流,适合高温/高频运行;功能:高压整流/续流、PFC电路;应用:电机驱动器 ,太阳能应用,不间断电源系统 ,功率切换电路等

该碳化硅二极管为独立式器件,具备6A的正向电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR),适用于中高功率电力电子系统。其正向导通压降(VF)为1.36V,相较于传统硅器件具有更低的导通损耗,有助于提升能效。基于碳化硅材料的特性,该二极管具备优异的高温稳定性和快速开关能力,可有效支持高频工作条件。典型应用涵盖高效开关电源、光伏逆变单元、不间断电源模块以及高密度功率因数校正电路,适用于对系统效率与功率密度有较高要求的电力转换场合。

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总电容电荷(Qc):23nC 总功率(Ptot):73W

VRRM(V):1200,IF (A):10,Qc:48nC,TO-220-2

这款碳化硅二极管具有6A的正向电流(IF),并且能够承受650V的最大反向电压(VR),适合用于需要耐受较高电压的应用中。其正向电压(VF)为1.3V,有助于在导通状态下减少能量损失。反向漏电流(IR)限制在50微安,体现了良好的绝缘特性。瞬态正向浪涌电流(IFSM)为48A,使其可以在短时间内应对电流峰值。该二极管适用于追求高效能与可靠性的电路设计。

特征:反向电压1200V、正向电流10A、正向压降≤1.7V@10A、结温-55~175°C,零反向恢复电流,适合高温/高频运行;功能:高压整流/续流、PFC电路;应用:电机驱动器 ,太阳能应用,不间断电源系统 ,功率切换电路等

SiC Schottky; Vrrm=1200V, If=10A@Tc=157°C, Vf=1.4V@10A

碳化硅二极管,650V,20A

适用于表面安装应用、GPP芯片、高效、符合欧盟RoHS

特性:正温度系数。温度无关的开关特性。最高工作温度175°C。单极器件,零反向恢复电流。零正向恢复电压。基本无开关损耗。应用:功率因数校正(PFC)。太阳能逆变器

6A 650V 、SIC碳化硅肖特基管、TO-252、最小包装数量:2500

特性:零反向恢复电流。 零正向恢复电压。 正向电压VF具有正温度系数。 温度无关的开关特性。 175°C工作结温。应用:开关模式电源。 功率因数校正

特性:零反向恢复电流。 零正向恢复电压。 正向电压(VF)具有正温度系数。 温度无关的开关特性。 175°C工作结温。 用单极器件替代双极器件。应用:开关模式电源。 功率因数校正

这款碳化硅二极管具备卓越的电气特性,其最大平均正向电流(IF/A)可达10安培,在反向电压(VR/V)为650伏特的情况下表现出色。该二极管在正向导通时的电压降(VF/V)仅为1.5伏特,有助于减少能量损耗。其反向漏电流(IR/uA)控制在60微安级别,显示了良好的阻断性能。瞬态正向浪涌电流(IFSM/A)最高可承受90安培,适用于需要高可靠性和快速开关特性的场合。这些特点使得该二极管成为高性能电路设计中的理想选择。

该产品是碳化硅肖特基势垒二极管的前沿技术,通过引入新型肖特基金属系统等进一步改进了前代专有创新G5技术。在所有负载条件下具有更高的效率,这得益于更低的品质因数 (Qc × VF)。设计用于补充600 V和650 V CoolMOST 7系列,满足该电压范围内最严格的应用要求。

该碳化硅二极管采用独立式配置,额定正向电流(IF)为15A,最大反向重复峰值电压(VR)为650V,正向压降(VF)典型值为1.5V,具备较低的导通损耗。器件可承受高达100A的非重复浪涌正向电流(IFSM),适用于对效率、热稳定性和动态响应要求较高的电源转换系统。其碳化硅材料特性支持高频工作,并在高结温条件下保持可靠性能,适合用于高功率密度的电力电子应用。