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二极管 / 晶体管型号

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该碳化硅二极管为独立式器件,额定正向电流(IF)为10A,反向重复峰值电压(VR)达650V,适用于中高压功率应用。其正向压降(VF)为1.38V,导通损耗较低,有助于提升系统能效。基于碳化硅材料特性,该器件具备出色的开关性能,反向恢复时间短,可有效减少高频工作下的能量损耗。适用于高效率电源转换设计,如服务器电源、数据中心供电单元、光伏微逆系统以及对热稳定性与空间利用率要求较高的紧凑型电力电子设备。

HXY MOSFET(华轩阳电子)TO-220C-2L
二极管 / 晶体管碳化硅二极管
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这款碳化硅二极管设计精良,具备10安培的额定正向电流IF和650伏特的反向峰值电压VR,满足高功率应用需求。其正向压降VF仅为1.3伏特,有助于降低功耗并提高效率。反向漏电流IR控制在50微安,确保设备在高温工作环境中的稳定性。最大非重复正向浪涌电流IFSM为80安培,增强了器件的抗冲击能力。适用于高频开关电源、光伏逆变器等高效率、高可靠性要求的电路设计中。

HXY MOSFET(华轩阳电子)TO-263
二极管 / 晶体管碳化硅二极管
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整流电流IF(AV): 20A@TC=150°C 反向电压VRRM: 650V 正向压降VF: 1.8V@10A 反向电流IR: 60uA 结温TJ:-55~+175°C

DDF(鼎德丰)TO-247
二极管 / 晶体管碳化硅二极管
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应用:服务器,工业电源,UPS电源,仪器仪表,大功率植物照明,太阳能逆变器,工商储能,电机驱动,充电桩,OBC,家电,医疗,远洋设备;

REASUNOS(瑞森半导体)TO-220-2
二极管 / 晶体管碳化硅二极管
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该款碳化硅二极管提供8A的正向电流能力(IF/A),并支持高达650V的反向电压(VR/V),适用于需要高耐压特性的电子设备。其正向电压降(VF/V)为1.3V,在导通期间有助于降低功耗。二极管的反向漏电流(IR/uA)控制在50微安,展示了优异的阻断特性。此外,其瞬时正向浪涌电流(IFSM/A)可达64A,使其能够在短时间内承受较大的电流冲击,适用于高频开关及电源转换等精密电路设计中。

HXY MOSFET(华轩阳电子)TO-220H-2L
二极管 / 晶体管碳化硅二极管
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这款碳化硅二极管具有10安培的正向电流(IF/A),能够承受最高达1200伏特的反向电压(VR/V)。其正向压降(VF/V)仅为1.5伏特,在反向偏置条件下,漏电流(IR/uA)控制在250微安。此外,该二极管瞬态正向浪涌电流(IFSM/A)可达67安培,适用于需要高效率及高频操作的应用场景,如电源转换与逆变技术领域,能够在严苛的工作环境中提供可靠的性能表现。

HXY MOSFET(华轩阳电子)TO-247-2L
二极管 / 晶体管碳化硅二极管
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该款碳化硅二极管具备10A的正向电流(IF),能够承载较高的电流负载,同时保持650V的反向击穿电压(VR),确保了在高压环境下的稳定性。其正向电压(VF)为1.3V,有助于减少能量损耗。反向漏电流(IR)限制在50微安,使得设备在非导通状态时几乎不消耗电能。瞬态正向浪涌电流(IFSM)高达80A,表明它可以在短时间内承受电流尖峰而不损坏。这些特性使其非常适合用于要求高效转换和可靠性的高性能电路中。

HXY MOSFET(华轩阳电子)TO-252-2L(DPAK)
二极管 / 晶体管碳化硅二极管
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碳化硅二极管 SiC SBD 管装 应用于微型逆变、电源、逆变、工控

KNSCHA(科尼盛)TO-220-2
二极管 / 晶体管碳化硅二极管
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VISHAY(威世)-
二极管 / 晶体管碳化硅二极管
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碳化硅SiC

Tokmas(托克马斯)TO-220-2
二极管 / 晶体管碳化硅二极管
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这款碳化硅二极管具有10A的正向平均电流(IF)与650V的反向电压(VR),适用于多种高效率电源设计。其正向电压降(VF)低至1.3V,有助于减少能量损耗并提高系统整体效能。在标准工作条件下,该二极管表现出色,其反向漏电流(IR)仅为50μA,确保了良好的电气性能。此外,支持高达80A的非重复峰值浪涌电流(IFSM),能够有效应对突发性的电流冲击,适合用于要求稳定性和耐用性的电源转换和控制电路中。

HXY MOSFET(华轩阳电子)TO-252-2L
二极管 / 晶体管碳化硅二极管
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碳化硅SiC

Tokmas(托克马斯)TO-247-3
二极管 / 晶体管碳化硅二极管
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应用:车载OBC,PHEV/EV充电桩,电信级电源、服务器电源,大功率工业电源,电机驱动器,UPS电源,太阳能/风能逆变器,家电,医疗,远洋设备,电网,机器人,新能源汽车,动车

REASUNOS(瑞森半导体)TO-247-3L
二极管 / 晶体管碳化硅二极管
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该碳化硅二极管为独立式结构,额定正向电流(IF)为5A,反向重复电压(VR)高达1700V,正向压降(VF)为1.32V。依托碳化硅材料的高击穿电场强度,器件具备优异的耐高压性能和热导率,同时展现出极短的反向恢复时间与低开关损耗。适用于高电压、高频率的电力转换场合,如高压电源模块、大功率整流电路、不间断电源系统及可再生能源逆变装置。其高温工作能力与高可靠性支持紧凑型电源设计,有助于提升整体能效与系统稳定性,尤其适合对功率密度和长期运行性能有要求的应用场景。

HXY MOSFET(华轩阳电子)TO-247-2L
二极管 / 晶体管碳化硅二极管
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系统效率优于硅二极管。可实现更高频率/更高功率密度解决方案。由于减少了散热器需求和更小的磁性元件,节省了系统尺寸和成本。降低电磁干扰。在整个负载范围内实现最高效率。在浪涌事件期间实现稳健的二极管操作。高可靠性

Infineon(英飞凌)TO-263-2
二极管 / 晶体管碳化硅二极管
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luJing(鲁晶)TO-247-3L
二极管 / 晶体管碳化硅二极管
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此碳化硅二极管专为大电流应用设计,耐压达650V,能承受20A强电流,确保高可靠性。其正向压降低至1.3V,大幅提升了电能转换效率,减少能耗与发热,是高性能电源系统和能效优化解决方案的理想选择。

HXY MOSFET(华轩阳电子)TO-247
二极管 / 晶体管碳化硅二极管
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应用:服务器,工业电源,UPS电源,仪器仪表,大功率植物照明,太阳能逆变器,工商储能,电机驱动,充电桩,OBC,家电,医疗,远洋设备;

REASUNOS(瑞森半导体)TO-247-2
二极管 / 晶体管碳化硅二极管
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全新一代高性能碳化硅肖特基二极管 40A 650V VF:1.4V JSMSEMI SIC BSD

JSMSEMI(杰盛微)TO-247-2
二极管 / 晶体管碳化硅二极管
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应用:车载OBC,PHEV/EV充电桩,电信级电源、服务器电源,大功率工业电源,电机驱动器,UPS电源,太阳能/风能逆变器,家电,医疗,远洋设备,电网,机器人,新能源汽车,动车

REASUNOS(瑞森半导体)TO-247-3
二极管 / 晶体管碳化硅二极管
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