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二极管 / 晶体管型号

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特性:碳化硅肖特基二极管。 零反向恢复。 零正向恢复。 与温度无关的开关特性。 正向电压(VF)正温度系数。 极低的杂散电感。应用:焊接设备。 不间断电源(UPS)

YANGJIE(扬杰)SOT-227
二极管 / 晶体管碳化硅二极管
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VRRM(V):650,IF (A):4,Qc:15.6nC,TO-252-2

XCH(旭昌辉)TO-252-2
二极管 / 晶体管碳化硅二极管
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VRRM(V):650,IF (A):4,Qc:15.6nC,TO-220F-2

XCH(旭昌辉)TO-220F-2
二极管 / 晶体管碳化硅二极管
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VRRM(V):650,IF (A):4,Qc:15.6nC,TO-220-2

XCH(旭昌辉)TO-220-2
二极管 / 晶体管碳化硅二极管
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VRRM(V):650,IF (A):6,Qc:21nC,TO-220F-2

XCH(旭昌辉)TO-220F-2
二极管 / 晶体管碳化硅二极管
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VRRM(V):650,IF (A):8,Qc:28nC,TO-252-2

XCH(旭昌辉)TO-252-2
二极管 / 晶体管碳化硅二极管
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ASZD008065A是原型号的迭代升级,商品编码C50132433

AnBon(安邦)TO-220-2
二极管 / 晶体管碳化硅二极管
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整流电流IF(AV): 8A@TC=150°C 反向电压VRRM: 650V 正向压降VF: 1.8V@8A 反向电流IR: 20uA 结温TJ:-55~+175°C

DDF(鼎德丰)TO-220AC-2
二极管 / 晶体管碳化硅二极管
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整流电流IF(AV): 10A@TC=150°C 反向电压VRRM: 650V 正向压降VF: 1.6V@10A 反向电流IR: 60uA 结温TJ:-55~+175°C

DDF(鼎德丰)TO-220AC-2
二极管 / 晶体管碳化硅二极管
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整流电流IF(AV): 20A@TC=150°C 反向电压VRRM: 650V 正向压降VF: 1.8V@10A 反向电流IR: 60uA 结温TJ:-55~+175°C

DDF(鼎德丰)TO-247-2L
二极管 / 晶体管碳化硅二极管
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整流电流IF(AV): 15A@TC=150°C 反向电压VRRM: 650V 正向压降VF: 1.8V@20A 反向电流IR: 60uA 结温TJ:-55~+175°C

DDF(鼎德丰)TO-263
二极管 / 晶体管碳化硅二极管
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整流电流IF(AV): 15A@TC=150°C 反向电压VRRM: 650V 正向压降VF: 1.8V@20A 反向电流IR: 60uA 结温TJ:-55~+175°C

DDF(鼎德丰)TO-220AC-2
二极管 / 晶体管碳化硅二极管
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第6代CoolSiC(G6)是英飞凌用于碳化硅肖特基势垒二极管的前沿技术。英飞凌专有的创新G5技术在G6中通过引入进一步的改进得到增强,如新型肖特基金属系统。其结果是形成了一个在所有负载条件下效率都有所提高的产品系列,这得益于更低的品质因数 (Qc × VF)。650 V G6 CoolSiC肖特基二极管旨在补充600 V和650 V CoolMOST 7系列,满足该电压范围内最严格的应用要求。

Infineon(英飞凌)TO-220-2
二极管 / 晶体管碳化硅二极管
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特性:650伏肖特基整流器。 恢复时间更短。 可进行高速开关。 高频操作。 开关特性与温度无关。 极快的开关速度。应用:开关模式电源。 功率因数校正

KIAITO-220AC
二极管 / 晶体管碳化硅二极管
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整流电流IF(AV): 30A@TC=150°C 反向电压VRRM: 650V 正向压降VF: 1.8V@10A 反向电流IR: 100uA 结温TJ:-55~+175°C

DDF(鼎德丰)TO-247
二极管 / 晶体管碳化硅二极管
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luJing(鲁晶)TO-247-2
二极管 / 晶体管碳化硅二极管
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整流电流IF(AV): 20A@TC=150°C 反向电压VRRM: 1200V 正向压降VF: 1.8V@20A 反向电流IR: 200uA 结温TJ:-55~+175°C

DDF(鼎德丰)TO-247-2L
二极管 / 晶体管碳化硅二极管
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Infineon(英飞凌)TO-220-2
二极管 / 晶体管碳化硅二极管
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YANGJIE(扬杰)TO-247AC
二极管 / 晶体管碳化硅二极管
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系统效率比硅二极管更高。可实现更高频率/更高功率密度解决方案。由于减少了散热器需求和使用更小的磁性元件,节省了系统尺寸和成本。降低了电磁干扰。在整个负载范围内具有最高效率。在浪涌事件期间二极管运行稳定。高可靠性

Infineon(英飞凌)TO-247-2
二极管 / 晶体管碳化硅二极管
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