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碳化硅 (SiC) 肖特基二极管使用全新技术,能够提供卓越的开关性能, 且比硅具有更高的可靠性。碳化硅的无逆向恢复电流、温度无关开关特性和卓越的热性能, 使其成为下一代功率半导体产品。系统优点包括最高能效、更快的运行频率、提高的功率密度、降低的 EMI,以及减小的系统尺寸和成本。

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碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用全新技术,与硅相比,具有卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流、与温度无关的开关特性以及出色的热性能,使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率、更快的工作频率、更高的功率密度、降低的电磁干扰以及减小的系统尺寸和成本。

碳化硅SiC

双碳化硅肖特基二极管,采用3引脚TO247塑料封装,专为高频开关电源设计。

特性:SiC肖特基二极管。 零反向恢复。 零正向恢复。 与温度无关的开关特性。 正向电压VF具有正温度系数。 极低的杂散电感。应用:焊接设备。 不间断电源(UPS)

碳化硅二极管,650V,4A

整流电流IF(AV): 4A@TC=150°C 反向电压VRRM: 650V 正向压降VF: 1.6V@4A 反向电流IR: 25uA 结温TJ:-55~+175°C

TMBS ,45V,45A

SIC DIODE 650V 30A

电机控制,电动工具,逆变器,同步整流,金牌电源,服务器电源,工业电源,储能BMS

整流电流IF(AV): 16A@TC=150°C 反向电压VRRM: 650V 正向压降VF: 1.8V@8A 反向电流IR: 50uA 结温TJ:-55~+175°C

特性:1200V肖特基整流器。 零反向恢复电流。 高频运行。 与温度无关的开关特性。 极快的开关速度。 用单极整流器替代双极整流器。应用:开关模式电源(SMPS)。 功率因数校正

特性:1200V 肖特基整流器。 零反向恢复电流。 高频操作。 与温度无关的开关特性。 极快的开关速度。应用:开关电源 (SMPS)。 功率因数校正

整流电流IF(AV): 15A@TC=150°C 反向电压VRRM: 1200V 正向压降VF: 1.8V@15A 反向电流IR: 200uA 结温TJ:-55~+175°C

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碳化硅二极管,650V,30A

特性:革命性的半导体材料。 碳化硅-开关性能基准-无反向恢复 / 无正向恢复-与温度无关的开关特性。 高浪涌电流能力。 无铅引脚镀层;符合 RoHS 标准。 根据 JEDEC 标准针对目标应用进行了认证。 在 20mA2 下测试击穿电压。应用:SMPS 例如;CCM PFC。 电机驱动

特性:革命性的半导体材料。 碳化硅。 开关行为基准。 无反向恢复/无正向恢复。 与温度无关的开关行为。 高浪涌电流能力。应用:SMPS,例如CCM PFC。 电机驱动

碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用全新技术,与硅相比,具有卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流、与温度无关的开关特性和出色的热性能,使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率、更快的工作频率、更高的功率密度、降低的电磁干扰以及减小的系统尺寸和成本。