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碳化硅 (SiC) 肖特基势垒二极管具有性能优势,电力电子系统有望比基于硅的解决方案满足更高的效率标准,同时还能达到更高的频率和功率密度。SiC 二极管可以轻松并联,以满足各种应用需求,而无需担心热失控。结合 SiC 产品减少的冷却要求和改进的热性能,SiC 二极管能够在各种不同的应用中提供更低的总体系统成本。

特性:革命性的半导体材料。碳化硅-开关性能基准-无反向恢复 / 无正向恢复-与温度无关的开关特性。高浪涌电流能力。无铅引脚镀层;符合 RoHS 标准。根据 JEDEC 标准针对目标应用进行了认证。击穿电压在 20mA2 下测试。应用:SMPS 例如;CCM PFC。电机驱动

第五代CoolSiC汽车肖特基二极管代表了碳化硅肖特基势垒二极管的前沿技术。由于采用了紧凑的设计和基于薄晶圆的技术,该系列产品在所有负载条件下均显示出更高的效率,这得益于其热特性和低品质因数(Qc x Vf)。该产品系列旨在补充IGBT和CoolMOS产品组合,确保满足650V电压等级中最严格的应用要求。

碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用全新技术,与硅相比,具有卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流、与温度无关的开关特性和出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率、更快的工作频率、更高的功率密度、降低的 FMI 以及减小的系统尺寸和成本。

CoolSiC第6代(G6)是英飞凌用于碳化硅肖特基势垒二极管的前沿技术。英飞凌专有的创新G5技术在G6中得到了进一步提升,引入了新的肖特基金属系统等改进。其结果是形成了一个在所有负载条件下效率都有所提高的产品系列,这得益于更低的品质因数 (Qc × VF)。650 V G6 CoolSiC肖特基二极管旨在补充600 V和650 V CoolMOS第7代产品系列,满足该电压范围内最严格的应用要求。

特性:革命性的半导体材料。 碳化硅。 开关性能基准。 无反向恢复/无正向恢复。 与温度无关的开关特性。 高浪涌电流能力。应用:开关电源,例如连续导通模式(CCM)功率因数校正(PFC)。 电机驱动

碳化硅 (SiC) 功率肖特基势垒二极管 (SBD) 产品线可提高性能,同时降低高压应用的总体拥有成本。

ThinQ!TM 第五代代表了碳化硅肖特基势垒二极管的前沿技术。英飞凌专有的扩散焊接工艺(在第三代中已引入)现在与全新、更紧凑的设计和薄晶圆技术相结合。其结果是一个新的产品系列,在所有负载条件下都提高了效率,这得益于改进的热特性和更低的品质因数(Qc x Vf)。新的 ThinQ!TM 第五代旨在补充 650V CoolMOS 系列,确保满足该电压范围内最严格的应用要求。

碳化硅 (SiC) 功率肖特基势垒二极管 (SBD) 产品线提高了性能,同时降低了高压应用的总体拥有成本。

碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用全新技术,与硅相比,具有卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流、温度无关的开关特性和出色的热性能,使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率、更快的工作频率、更高的功率密度、降低的电磁干扰以及减小的系统尺寸和成本。

特性:反向重复峰值电压(VRRM):2000V。 正向电流(IF):10A。 正向电压(VF):1.5V。 无反向恢复电流/无正向恢复。 高浪涌电流能力。 温度无关的开关特性。应用:串式三相逆变器。 电动汽车充电

特性:第四代薄芯片技术,实现低正向电压。 卓越的电源效率。 出色的品质因数QC/IF。 增强的浪涌电流耐受性。 低热阻。 与温度无关的快速开关。应用:功率因数校正(PFC)。 电动汽车和电池充电器

SIC DIODE 650V 15A

碳化硅二极管,650V,6A

碳化硅肖特基二极管采用TO252 (DPAK)塑料封装,专为高频开关电源设计。

SIC DIODE 650V 15A

碳化硅二极管,650V,20A

碳化硅二极管,1200V,20A

650 V、4 A高浪涌碳化硅功率肖特基二极管

碳化硅二极管,650V,50A