650 V、8 A高浪涌碳化硅功率肖特基二极管
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特性:革命性的半导体材料。 碳化硅。 开关行为基准。 无反向恢复/无正向恢复。 与温度无关的开关行为。 高浪涌电流能力。应用:SMPS,例如CCM PFC。 电机驱动
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特性:革命性的半导体材料。 碳化硅。 开关行为基准。 无反向恢复 / 无正向恢复。 与温度无关的开关行为。 高浪涌电流能力。应用:开关电源(如连续导通模式功率因数校正)。 电机驱动
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汽车用650 V、20 A碳化硅功率肖特基二极管
碳化硅二极管,1200V,100A
特性:正温度系数。 温度无关的开关特性。 最高工作温度为175°C。 单极器件,零反向恢复电流。 零正向恢复电流。 基本无开关损耗。应用:功率因数校正(PFC)。 太阳能逆变器
汽车级650V TO-220 D2PAK SiC功率肖特基二极管
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碳化硅肖特基二极管没有开关损耗,由于采用新型半导体材料——碳化硅,提供比硅二极管更高的系统效率,支持更高的运行频率,并且有助于提高功率密度和减少系统尺寸/成本。 其高可靠性确保浪涌或过压状况下的稳健运行
特性:VRRM = 2000 V。 IF = 25 A。 VF = 1.5 V。 无反向恢复电流/无正向恢复。 高浪涌电流能力。 温度无关的开关特性。应用:串式三相逆变器。 电动汽车充电
特性:SiC肖特基二极管。 零反向恢复。 零正向恢复。 温度无关的开关特性。 VF正温度系数。 极低的杂散电感。应用:焊接设备。 不间断电源(UPS)
碳化硅二极管,650V,4A
特性:650V 肖特基整流器。 零反向恢复电流。 高频操作。 与温度无关的开关特性。 极快的开关速度。 用单极整流器替代双极整流器。应用:开关电源 (SMPS)。 功率因数校正
SIC DIODE 650V 10A
特性:650V 肖特基整流器。零反向恢复电流。高频操作。温度无关的开关特性。极快的开关速度。应用:开关模式电源 (SMPS)。功率因数校正
该产品系列提供了先进的性能,专为需要高效率和高可靠性的高频应用而设计。
碳化硅二极管,650V,8A
SIC DIODE 650V 10A
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