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碳化硅二极管,650V,10A

特性:1200V 肖特基整流器。 零反向恢复电流。 高频操作。 与温度无关的开关特性。 极快的开关速度 Benefits:。 用单极整流器取代双极整流器。应用:开关模式电源 (SMPS)。 功率因数校正

特性:1.2kV肖特基整流器。 零反向恢复电流/零正向恢复。 高频操作。 与温度无关的开关特性。 低正向电压。 正向电压VF具有正温度系数。应用:开关电源。 功率因数校正

特性:较短的恢复时间。 降低温度依赖性。 可实现高速开关。 高浪涌电流能力

碳化硅二极管,650V,40A

特性:1.2kV 肖特基整流器。 零反向恢复电流。 零正向恢复。 高频操作。 与温度无关的开关特性。 低正向电压。应用:开关模式电源。 功率因数校正

特性:肖特基整流器,1200-Volt 肖特基整流器。 零反向恢复电流。 零正向恢复电压。 高工作频率。 不受温度影响的开关特性。 高速开关。应用:工业电源,不间断电源。 光伏系统

特性:肖特基整流器 / 650-Volt肖特基整流器。 零反向恢复电流。 零正向恢复电压。 高工作频率。 不受温度影响的开关特性。 高速开关。应用:工业电源,不间断电源。 光伏系统

汽车用650 V、6 A高浪涌碳化硅功率肖特基二极管

第6代CoolSiC是英飞凌用于碳化硅肖特基势垒二极管的前沿技术。英飞凌专有的创新G5技术在G6中得到了进一步改进,引入了新的肖特基金属系统等进步。其结果是产品系列在所有负载条件下都提高了效率,这得益于更低的品质因数 (Qc×VF)。CoolSiC 650V G6二极管旨在补充600V和650V CoolMOS系列,满足该电压范围内最严格的应用要求。

2 x 650V串联、6 A高浪涌碳化硅功率肖特基二极管

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碳化硅肖特基二极管采用TO263 (D2PAK)塑料封装,专为高频开关模式电源设计。

650 V 碳化硅功率肖特基二极管

碳化硅肖特基二极管采用DFN 8×8塑料封装,专为高频开关模式电源设计。

碳化硅SiC

碳化硅 (SiC) 肖特基二极管使用全新技术,能够提供卓越的开关性能, 且比硅具有更高的可靠性。碳化硅的无逆向恢复电流、温度无关开关特性和卓越的热性能, 使其成为下一代功率半导体产品。系统优点包括最高能效、更快的运行频率、提高的功率密度、降低的 EMI,以及减小的系统尺寸和成本。

1200 V、10 A双路高浪涌碳化硅功率肖特基二极管

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