Clestek · 电子元器件型号库
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ThinQ!TM 第五代代表了碳化硅肖特基势垒二极管的前沿技术。英飞凌专有的扩散焊接工艺,已经在第三代中引入,现在与新的、更紧凑的设计和薄晶圆技术相结合。这使得新产品系列在所有负载条件下都能提高效率,这得益于改进的热特性和更低的品质因数(Qc x Vf)。新的 ThinQ!TM 第五代旨在补充 650V CoolMOS 系列产品,确保满足该电压范围内最严格的应用要求。
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碳化硅二极管,1200V,40A
特性:1.2kV肖特基整流器。零反向恢复电流。零正向恢复。高频操作。与温度无关的开关特性。低正向电压。应用:开关电源。功率因数校正
650 V、10 A高浪涌碳化硅功率肖特基二极管
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8 A 650 V SiC功率肖特基二极管
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650 V 碳化硅功率肖特基二极管
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ThinQ!TM 第五代代表碳化硅肖特基势垒二极管的前沿技术。英飞凌专有的扩散焊接工艺,已经在第三代中引入,现在与新的、更紧凑的设计和薄晶圆技术相结合。结果是一个新的产品系列,在所有负载条件下都显示出更高的效率,这得益于改进的热特性和更低的品质因数(Qc x Vf)。新的 ThinQ!TM 第五代旨在补充 650V CoolMOS 系列:这确保满足该电压范围内最严格的应用要求。
特性:革命性的半导体材料。碳化硅:无反向恢复电流/无正向恢复。温度无关的开关特性。即使在高工作温度下也具有低正向电压。正向电压分布紧密。出色的热性能。应用:太阳能逆变器。不间断电源
碳化硅 (SiC) 肖特基二极管使用全新技术,能够提供卓越的开关性能,且比硅具有更高的可靠性。碳化硅的无逆向恢复电流、温度无关开关特性和卓越的热性能,使其成为下一代功率半导体产品。系统优点包括最高能效、更快的运行频率、提高的功率密度、降低的 EMI,以及减小的系统尺寸和成本。
碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用全新技术,与硅相比,具有卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流、开关特性与温度无关,且热性能优异,使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率、更快的工作频率、更高的功率密度、降低的电磁干扰以及减小的系统尺寸和成本。
ThinQ! Generation 5代表了碳化硅肖特基势垒二极管的前沿技术。由于更紧凑的设计和薄晶圆技术,新产品系列在所有负载条件下都提高了效率,这得益于改进的热特性和更低的品质因数(Qc x Vf)。新的ThinQ! Generation 5旨在补充650V CoolMOS系列,确保满足该电压范围内最严格的应用要求。
2 x 650V串联、10 A高浪涌碳化硅功率肖特基二极管
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碳化硅SiC
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