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ROHM(罗姆)TO-247N
二极管 / 晶体管碳化硅二极管
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MICROCHIP(美国微芯)TO-247-3
二极管 / 晶体管碳化硅二极管
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Bestirpower(萃锦半导体)Dpak
二极管 / 晶体管碳化硅二极管
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碳化硅二极管,650V,6A
Bestirpower(萃锦半导体)TO-220F-2
二极管 / 晶体管碳化硅二极管
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碳化硅二极管,650V,8A
Bestirpower(萃锦半导体)DPAK
二极管 / 晶体管碳化硅二极管
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碳化硅二极管,650V,10A
Bestirpower(萃锦半导体)TO-252NC
二极管 / 晶体管碳化硅二极管
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碳化硅二极管,650V,10A
Bestirpower(萃锦半导体)TO-220F-2
二极管 / 晶体管碳化硅二极管
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碳化硅二极管,650V,15A
Bestirpower(萃锦半导体)TO-220-2
二极管 / 晶体管碳化硅二极管
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特性:肖特基整流器 / 1200-Volt肖特基整流器。 零反向恢复电流。 零正向恢复电压。 高工作频率。 不受温度影响的开关特性。 高速开关。应用:开关电源。 功率因数校正
SGKS(森国科)PDFN-8(8x8)
二极管 / 晶体管碳化硅二极管
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碳化硅二极管,1200V,30A
Bestirpower(萃锦半导体)TO-247-3
二极管 / 晶体管碳化硅二极管
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ThinQ!TM 第五代代表了英飞凌碳化硅肖特基势垒二极管的前沿技术。英飞凌专有的扩散焊接工艺(已在第三代中引入)现在与新的、更紧凑的设计和薄晶圆技术相结合。其结果是一个新的产品系列,在所有负载条件下都显示出更高的效率,这得益于改进的热特性和更低的品质因数(Qc x Vf)。新的 ThinQ!TM 第五代旨在补充我们的 650V CoolMOS 系列:这确保满足该电压范围内最严格的应用要求。
Infineon(英飞凌)VSON-4(8x8)
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碳化硅二极管,650V,30A
Bestirpower(萃锦半导体)TO-247-2
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luJing(鲁晶)TO-247-3L
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特性:1.2kV肖特基整流器。 零反向恢复电流/零正向恢复。 高频操作。 与温度无关的开关特性。 低正向电压。 用单极整流器代替双极整流器。应用:开关模式电源。 功率因数校正
SICHAIN(清纯)TO-247-3L
二极管 / 晶体管碳化硅二极管
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特性:650V 肖特基整流器。 零反向恢复电流。 高频操作。 与温度无关的开关特性。 极快的开关速度。应用:开关电源 (SMPS)。 功率因数校正
luJing(鲁晶)TO-220AC
二极管 / 晶体管碳化硅二极管
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特性:1.2kV肖特基整流器。 零反向恢复电流。 高频操作。 温度无关的开关特性。 极快的开关速度。 正向电压VF具有正温度系数。应用:开关模式电源(SMPS)。 PFC或DC/DC级中的升压二极管
WOLFSPEEDTO-252-2
二极管 / 晶体管碳化硅二极管
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CoolSiC G6是用于碳化硅肖特基势垒二极管的前沿技术。通过引入新的肖特基金属系统等进一步改进,在英飞凌专有的创新G5技术基础上进行了增强。这使得产品在所有负载条件下都具有更高的效率,这得益于更低的品质因数 (Qc × VF)。650 V G6 CoolSiC肖特基二极管旨在补充600 V和650 V CoolMOST 7系列,满足该电压范围内最严格的应用要求。
Infineon(英飞凌)SOP-10
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碳化硅肖特基二极管采用TO220-2L塑料封装,专为高频开关模式电源设计。
WeEn(瑞能)TO-220AC
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特性:1200V 肖特基整流器。 零反向恢复电流。 高频操作。 与温度无关的开关特性。 极快的开关速度。 用单极整流器替代双极整流器。应用:开关电源 (SMPS)。 功率因数校正
luJing(鲁晶)TO-247-2
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650 V、8 A高浪涌碳化硅功率肖特基二极管
ST(意法半导体)TO-220ACins
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