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650 V、10 A高浪涌碳化硅功率肖特基二极管

汽车类 1200 V、2 A 高浪涌碳化硅二极管

碳化硅 (SiC) 肖特基二极管使用全新技术,能够提供卓越的开关性能, 且比硅具有更高的可靠性。碳化硅的无逆向恢复电流、温度无关开关特性和卓越的热性能, 使其成为下一代功率半导体产品。系统优点包括最高能效、更快的运行频率、提高的功率密度、降低的 EMI,以及减小的系统尺寸和成本。Llew

6 A、650 V碳化硅功率肖特基二极管

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双碳化硅肖特基二极管,采用3引脚TO247塑料封装,专为高频开关模式电源设计。

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650 V 10 A 功率肖特基碳化硅二极管

650 V、6 A高浪涌碳化硅功率肖特基二极管

凭借碳化硅 (SiC) 肖特基势垒二极管的性能优势,电力电子系统有望达到比基于硅的解决方案更高的效率标准,同时还能实现更高的频率和功率密度。SiC 二极管可以轻松并联,以满足各种应用需求,而无需担心热失控。结合 SiC 产品减少的冷却要求和改善的热性能,SiC 二极管能够在各种不同的应用中提供更低的总体系统成本。

汽车用650 V、10 A碳化硅功率肖特基二极管

1200V、10A、碳化硅功率肖特基二极管

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碳化硅 (SiC) 肖特基二极管使用全新技术,能够提供卓越的开关性能, 且比硅具有更高的可靠性。碳化硅的无逆向恢复电流、温度无关开关特性和卓越的热性能, 使其成为下一代功率半导体产品。系统优点包括最高能效、更快的运行频率、提高的功率密度、降低的 EMI,以及减小的系统尺寸和成本。