650 V 10 A 功率肖特基碳化硅二极管
ST(意法半导体)Power-FLAT(8x8)
二极管 / 晶体管碳化硅二极管
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碳化硅SiC
onsemi(安森美)TO-263
二极管 / 晶体管碳化硅二极管
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MICROCHIP(美国微芯)D3PAK
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MICROCHIP(美国微芯)TO-247
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汽车级 1200V、15A、碳化硅功率肖特基二极管
ST(意法半导体)D2PAK-HV
二极管 / 晶体管碳化硅二极管
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系统效率比硅二极管更高。可实现更高频率/更高功率密度解决方案。由于减少了散热器需求和使用更小的磁性元件,节省了系统尺寸和成本。降低电磁干扰。在整个负载范围内具有最高效率。在浪涌事件期间二极管运行稳定。高可靠性
Infineon(英飞凌)TO-263-2
二极管 / 晶体管碳化硅二极管
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Infineon(英飞凌)TO-247-3
二极管 / 晶体管碳化硅二极管
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1200V、20A、碳化硅功率肖特基二极管
ST(意法半导体)D2PAK-HV
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MICROCHIP(美国微芯)TO-220-2
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onsemi(安森美)TO-247-2
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特性:无反向恢复/无正向恢复。 低正向电压。 低漏电流。 雪崩能量额定。 符合RoHS标准。 高开关频率。应用:功率因数校正(PFC)。 反并联二极管
MICROCHIP(美国微芯)TO-247-3
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Infineon(英飞凌)TO-247-3
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碳化硅 (SiC) 功率肖特基势垒二极管 (SBD) 产品线可在高压应用中提高性能,同时降低总体拥有成本。
MICROCHIP(美国微芯)TO-247
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该碳化硅二极管具有250A的正向电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR),正向压降(VF)为1.4V,反向漏电流(IR)仅为100μA,展现出低导通损耗与高阻断性能。其浪涌正向电流(IFSM)可达600A,适用于高频开关、高效率电源转换及对热管理要求较高的电力电子系统,在需要快速恢复特性和稳定运行的场合中表现优异。
HXY MOSFET(华轩阳电子)SOT-227
二极管 / 晶体管碳化硅二极管
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特性:低正向电压。 低泄漏电流。 无反向恢复电流/无正向恢复。 雪崩能量额定。 符合RoHS标准。应用:功率因数校正(PFC)。 反并联二极管
MICROCHIP(美国微芯)D3PAK
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碳化硅二极管,650V,8A
Bestirpower(萃锦半导体)DPAK
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碳化硅二极管,650V,6A
Bestirpower(萃锦半导体)TO220F-2
二极管 / 晶体管碳化硅二极管
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碳化硅二极管,650V,4A
Bestirpower(萃锦半导体)TO-220-2
二极管 / 晶体管碳化硅二极管
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碳化硅二极管,650V,8A
Bestirpower(萃锦半导体)TO220F-2
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碳化硅二极管,1200V,5A
Bestirpower(萃锦半导体)DPAK
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