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碳化硅二极管,650V,8A

碳化硅二极管具有高耐压、高开关速度、低导通电阻等特点,适用于高温、高频、大功率等恶劣环境下的电子设备。

碳化硅二极管,1200V,15A

碳化硅二极管,650V,10A

碳化硅二极管,650V,10A

特性:肖特基整流器 / 650-Volt肖特基整流器。 零反向恢复电流。 零正向恢复电压。 高工作频率。 不受温度影响的开关特性。 高速开关。应用:开关电源。 功率因数校正

碳化硅二极管,650V,10A

特性:600 伏肖特基整流器。 零反向恢复电流。 零正向恢复电压。 高频操作。 与温度无关的开关特性。 极快的开关速度。应用:开关模式电源(SMPS)。 功率因数校正(PFC)或直流/直流级中的升压二极管

该碳化硅二极管为独立式单体结构,额定正向电流(IF)为8A,反向重复峰值电压(VR)达650V,正向导通压降(VF)为1.4V。依托碳化硅半导体材料的高热导率与高击穿场强特性,器件具备优异的耐高温性能和极快的开关响应速度,反向恢复电荷极低。适用于高效率开关电源、不间断电源系统、太阳能逆变装置以及高密度DC-DC变换器等应用,能有效降低系统开关损耗,提升功率密度与整体能效水平,尤其适合对热管理与空间布局要求严苛的高性能电力电子设备。

SiC Schottky; Vrrm=1700V, If=25A@Tc=152°C, Vf=1.55V@25A

1200 V 碳化硅功率肖特基二极管

该碳化硅二极管为独立式器件,具备5A的正向电流(IF)和1200V的反向重复峰值电压(VR),正向导通压降(VF)为1.38V。依托碳化硅材料优势,具备出色的耐高压性能、高温稳定性和极快的开关速度,反向恢复电荷极低。适用于高电压、高效率要求的电源系统,如大功率开关电源、不间断电源、光伏逆变器以及高密度电源模块等,可有效降低开关损耗,提升系统功率密度与整体能效水平。

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特性:第三代芯片设计。 低正向电压:Vp = 1.2 V (典型值)。 低总电容电荷:Qc = 27 nC (典型值)。 低反向电流:Ie = 2.0 μA (典型值)。应用:功率因数校正。 太阳能逆变器

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特性:600 伏肖特基整流器。 零反向恢复电流。 零正向恢复电压。 高频操作。 与温度无关的开关特性。 极快的开关速度。应用:开关模式电源(SMPS)。 功率因数校正(PFC)或直流/直流阶段的升压二极管

碳化硅 (SiC) 肖特基二极管使用全新技术,能够提供卓越的开关性能, 且比硅具有更高的可靠性。碳化硅的无逆向恢复电流、温度无关开关特性和卓越的热性能, 使其成为下一代功率半导体产品。系统优点包括最高能效、更快的运行频率、提高的功率密度、降低的 EMI,以及减小的系统尺寸和成本。Llew

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该碳化硅二极管采用独立式配置,具备8A的正向电流(IF)和1200V的反向重复电压(VR),正向压降(VF)为1.45V。器件利用碳化硅材料特性,实现高频、高效率的整流性能,反向恢复时间极短,漏电流低,适用于高开关频率的电源转换场景。其高耐压与高电流承载能力,结合优异的热稳定性,适合用于紧凑型电源模块、高密度开关电源及需要高效能功率管理的电路设计中,有助于提升系统整体能效并减少散热需求。