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碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用全新技术,与硅相比,具有卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流、与温度无关的开关特性和出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率、更快的工作频率、更高的功率密度、降低的电磁干扰以及减小的系统尺寸和成本。

特性:650伏肖特基整流器。 零反向恢复电流。 零正向恢复电压。 高频操作。 与温度无关的开关特性。 极快的开关速度。应用:开关模式电源(SMPS)。 PFC或DC/DC级中的升压二极管

碳化硅肖特基二极管具有出色的载流能力。这种先进的高效功率组件适用于需要高峰值正向浪涌能力、低正向压降、降低热阻和低功耗的转换器等应用。它采用TO220-2封装,非常适合高频开关电源。

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碳化硅SiC

1200V、10A、碳化硅功率肖特基二极管

碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用全新技术,与硅相比,具有卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流、温度无关的开关特性和出色的热性能,使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率、更快的工作频率、更高的功率密度、降低的电磁干扰以及减小的系统尺寸和成本。

ThinQ!TM 第五代代表了碳化硅肖特基势垒二极管的前沿技术。由于采用了更紧凑的设计和薄晶圆技术,新产品系列在所有负载条件下都显示出更高的效率,这得益于改进的热特性和更低的品质因数(Qc x Vf)。新一代 ThinQ!TM 第五代产品旨在补充 650V CoolMOSTM 系列产品,确保满足该电压范围内最严格的应用要求。

碳化硅 (SiC) 肖特基二极管使用全新技术,能够提供卓越的开关性能,且比硅具有更高的可靠性。碳化硅的无逆向恢复电流、温度无关开关特性和卓越的热性能,使其成为下一代功率半导体产品。系统优点包括最高能效、更快的运行频率、提高的功率密度、降低的 EMI,以及减小的系统尺寸和成本。

碳化硅 (SiC) 肖特基二极管使用全新技术,能够提供卓越的开关性能,且比硅具有更高的可靠性。碳化硅的无逆向恢复电流、温度无关开关特性和卓越的热性能,使其成为下一代功率半导体产品。系统优点包括最高能效、更快的运行频率、提高的功率密度、降低的 EMI,以及减小的系统尺寸和成本。

1200 V、10 A高浪涌碳化硅功率肖特基二极管

碳化硅 (SiC) 肖特基二极管使用全新技术,能够提供卓越的开关性能,且比硅具有更高的可靠性。碳化硅的无逆向恢复电流、温度无关开关特性和卓越的热性能,使其成为下一代功率半导体产品。系统优点包括最高能效、更快的运行频率、提高的功率密度、降低的 EMI,以及减小的系统尺寸和成本。

1200 V、15 A高浪涌碳化硅功率肖特基二极管

特性:较短的恢复时间。 降低的温度依赖性。 可进行高速开关。 高浪涌电流能力

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碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用全新技术,与硅相比,具有卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流、与温度无关的开关特性以及出色的热性能,使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率、更快的工作频率、更高的功率密度、降低的电磁干扰以及减小的系统尺寸和成本。