碳化硅二极管,1200V,20A
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特性:肖特基整流器 / 650-Volt Schottky Rectifier。零反向恢复电流 / Zero Reverse Recovery Current。零正向恢复电压 / Zero Forward Recovery Voltage。高工作频率 / High-Frequency Operation。应用:开关电源 / Switch Mode Power Supplies (SMPS)。功率因数校正 / Power Factor Correction
碳化硅SiC
这款碳化硅肖特基二极管采用TO-220-2L封装,具备1200V高反向耐压和8A连续正向电流处理能力,正向导通电压VF为1.5V。专为高压、高效能应用场景设计,如新能源汽车充电系统、工业电源转换器,实现卓越的高温稳定性和快速恢复整流性能。
特性:175°C Tj工作。 超低开关损耗。 开关速度与工作温度无关。 低总传导损耗。 高正向浪涌电流能力。 高封装隔离电压。应用:替代能源逆变器。 功率因数校正(PFC)
特性:较短的恢复时间。 降低的温度依赖性。 可进行高速开关。 高浪涌电流能力
650 V 碳化硅功率肖特基二极管
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650 V 碳化硅功率肖特基二极管
特性:低正向电压。可忽略的恢复时间/电流。与温度无关的开关特性。高浪涌电流能力。低泄漏电流。应用:开关电源。不间断电源
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是单SiC肖特基整流器,采用TO-247AD封装。该器件是高压肖特基整流器对,在极端温度下具有极低的总传导损耗和非常稳定的开关特性。适用于具有挑战性环境中的能量敏感型高频应用。
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碳化硅二极管,650V,6A
碳化硅二极管,650V,8A
SiC SBD,650V,20A,263顶部散热
该碳化硅二极管采用独立式结构,额定正向电流为4A,最大反向重复峰值电压达650V,典型正向压降为1.53V,在浪涌条件下可承受高达32A的非重复峰值正向电流。凭借碳化硅材料的特性,器件在高频、高温环境下展现出优异的稳定性和效率,适用于对开关速度和能效要求较高的电源转换、功率因数校正及各类高密度电力电子系统中。
特性:反向耐压650V。 零反向恢复电流。 高工作频率。 开关特性不受温度影响。 开关速度快。 正向压降正温度系数。应用:开关电源,AC/DC转换器。 功率因数校正
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